量子比特版图的导电盘布图方法、系统、介质及设备技术方案

本发明专利技术公开了一种量子比特版图的导电盘布图方法、系统、介质及设备。量子比特版图包括电极结构和位于电极结构外围的多个离子注入层，电极结构包括多个用于引入载流子的第一电极以及多个用于调控量子比特的第二电极，且第一电极和离子注入层的数量相等。导电盘布图方法包括：在电极结构和离子注入层之间确定限位框；根据每一离子注入层距离限位框最近的边缘在限位框上确定多个第一插入点；在限位框上除第一插入点的其他位置确定第二插入点，其中，第二插入点与第二电极的数量相等；在每一第一插入点生成用于连接第一电极的导电盘，在每一第二插入点生成用于连接第二电极的导电盘。本发明专利技术能够自动绘制导电盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。效率和精准度。效率和精准度。

【技术实现步骤摘要】
量子比特版图的导电盘布图方法、系统、介质及设备


[0001]本专利技术涉及电路设计领域，特别是涉及一种量子比特版图的导电盘布图方法、系统、介质及设备。

技术介绍

[0002]量子比特是量子芯片的关键单元，由于量子比特上的电极尺寸非常小，在工艺上难以实现焊接，需要通过传输线将电极引出至较大尺寸的焊盘。传输线通常为折线，但是由于传输线非常细，在工艺制备中折点处容易出现断连的情况，因此需要在折点处制作导电盘来提高传输线折点处的导电可靠性。
[0003]然而，量子比特上的电极非常多，每一个电极都有一根传输线，在量子比特版图设计中，需要人工逐个添加导电盘，因此版图绘制工作量非常大，版图绘制效率非常低，而且绘制过程无法保证精准度，容易出错。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种量子比特版图的导电盘布图方法、系统、介质及设备，以解决现有技术中导电盘手动绘制效率低、容易出错的问题，能够自动绘制导电盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种量子比特版图的导电盘布图方法，所述量子比特版图包括电极结构和位于所述电极结构外围的多个离子注入层，所述电极结构包括多个用于引入载流子的第一电极以及多个用于调控量子比特的第二电极，且所述第一电极和所述离子注入层的数量相等，所述导电盘布图方法包括：
[0006]在所述电极结构和所述离子注入层之间确定限位框；
[0007]根据每一所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘在所述限位框上确定多个第一插入点；
[0008]在所述限位框上除所述第一插入点的其他位置确定第二插入点，其中，所述第二插入点与所述第二电极的数量相等；
[0009]在每一所述第一插入点生成用于连接所述第一电极的导电盘，在每一所述第二插入点生成用于连接所述第二电极的导电盘，
[0010]优选的，所述限位框为矩形框。
[0011]优选的，所述根据每一所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘在所述限位框上确定多个第一插入点的步骤包括：
[0012]在每一所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘上选择任意一点作为基准点；
[0013]查找每一所述基准点到所述限位框的垂线与所述限位框的第一个交点，将所述交点作为第一插入点。
[0014]优选的，所述基准点为所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘上的中点。
[0015]优选的，所述第二电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极位于相邻
两个所述第一电极之间，所述第二子电极不位于任意相邻两个所述第一电极之间；
[0016]所述在所述限位框上除所述第一插入点的其他位置确定第二插入点的步骤包括：
[0017]确定每一所述第一插入点距离最近的所述第一电极；
[0018]根据当前相邻两个所述第一电极之间的第一子电极的数量在当前相邻两个所述第一电极对应的第一插入点之间的限位框段上确定相同数量的第二插入点；
[0019]在所述第一子电极对应的第二插入点数量最少的限位框段上确定所述第二子电极对应的第二插入点。
[0020]优选的，每一所述限位框段上所述第一子电极对应的第二插入点到所述电极结构的中心点的连线将当前所述限位框段上的第一插入点与所述电极结构的中心点构成的扇形区域进行角度平均分割。
[0021]优选的，每一所述限位框段上所述第二子电极对应的第二插入点到所述电极结构的中心点的连线将当前所述限位框段上的第一插入点与所述电极结构的中心点构成的扇形区域进行角度平均分割。
[0022]优选的，每一所述限位框段上所述第二子电极对应的第二插入点到所述电极结构的中心点的连线与当前所述限位框段垂直。
[0023]优选的，所述导电盘为矩形，所述导电盘的中心点为所述第一插入点或所述第二插入点。
[0024]优选的，所述导电盘布图方法还包括：
[0025]在每一所述第一电极与对应的导电盘之间以及每一所述第二电极与对应的导电盘之间生成传输线。
[0026]优选的，与所述导电盘连接的传输线连接所述导电盘的中心点，与所述第一电极连接的传输线连接所述第一电极的中心点，与所述第二电极连接的传输线连接所述第二电极的中心点。
[0027]优选的，所述传输线为直线，且位于相同走线层的传输线不交叉。
[0028]为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种量子比特版图的导电盘布图系统，所述量子比特版图包括电极结构和位于所述电极结构外围的多个离子注入层，所述电极结构包括多个用于引入载流子的第一电极以及多个用于调控量子比特的第二电极，且所述第一电极和所述离子注入层的数量相等，所述导电盘布图系统包括：
[0029]第一确定模块，用于在所述电极结构和所述离子注入层之间确定限位框；
[0030]第二确定模块，用于根据每一所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘在所述限位框上确定多个第一插入点；
[0031]第三确定模块，用于在所述限位框上除所述第一插入点的其他位置确定第二插入点，其中，所述第二插入点与所述第二电极的数量相等；
[0032]图形生成模块，用于在每一所述第一插入点生成用于连接所述第一电极的导电盘，在每一所述第二插入点生成用于连接所述第二电极的导电盘。
[0033]优选的，所述图形生成模块还用于在每一所述第一电极与对应的导电盘之间以及每一所述第二电极与对应的导电盘之间生成传输线。
[0034]为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种存储介质，所述存储介质中存储有计算机程序，所述计算机程序被设置为运行时执行前述任一种所述的量子比特版图的导电盘布
图方法。
[0035]为解决上述技术问题，本专利技术还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为运行所述计算机程序以执行前述任一种所述的量子比特版图的导电盘布图方法。
[0036]区别于现有技术的情况，本专利技术提供的量子比特版图的导电盘布图方法针对具有电极结构和离子注入层的量子比特版图，首先在电极结构和离子注入层之间确定限位框，根据每一离子注入层距离限位框最近的边缘在限位框上确定第一插入点，然后再在限位框上确定第二插入点，最后在每一第一插入点生成用于连接第一电极的导电盘，在每一第二插入点生成用于连接第二电极的导电盘，完成导电盘的绘制，整个绘制过程只需要人工设置限位框的尺寸即可，从而能够自动绘制导电盘，可以提高版图绘制的效率和精准度。
[0037]本专利技术提供的量子比特版图的导电盘布图系统、存储介质及电子设备，与量子比特版图的导电盘布图方法属于同一专利技术构思，因此具有相同的有益效果，在此不再赘述。
附图说明
[0038]图1为一种量子比特版图的结构示意图。
[0039]图2为图1中量子比特版图的电极结构的放大示意图。
[0040]图3为本专利技术第一实施例提供的量子比特版图的导电盘布图方法的流程示意图。
[0041]图4为图3所示的导电盘布图方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子比特版图的导电盘布图方法，所述量子比特版图包括电极结构和位于所述电极结构外围的多个离子注入层，所述电极结构包括多个用于引入载流子的第一电极以及多个用于调控量子比特的第二电极，且所述第一电极和所述离子注入层的数量相等，其特征在于，所述导电盘布图方法包括：在所述电极结构和所述离子注入层之间确定限位框；根据每一所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘在所述限位框上确定多个第一插入点；在所述限位框上除所述第一插入点的其他位置确定第二插入点，其中，所述第二插入点与所述第二电极的数量相等；在每一所述第一插入点生成用于连接所述第一电极的导电盘，在每一所述第二插入点生成用于连接所述第二电极的导电盘。2.根据权利要求1所述的导电盘布图方法，其特征在于，所述限位框为矩形框。3.根据权利要求2所述的导电盘布图方法，其特征在于，所述根据每一所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘在所述限位框上确定多个第一插入点的步骤包括：在每一所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘上选择任意一点作为基准点；查找每一所述基准点到所述限位框的垂线与所述限位框的第一个交点，将所述交点作为第一插入点。4.根据权利要求3所述的导电盘布图方法，其特征在于，所述基准点为所述离子注入层距离所述限位框最近的边缘上的中点。5.根据权利要求1所述的导电盘布图方法，其特征在于，所述第二电极包括第一子电极和第二子电极，所述第一子电极位于相邻两个所述第一电极之间，所述第二子电极不位于任意相邻两个所述第一电极之间；所述在所述限位框上除所述第一插入点的其他位置确定第二插入点的步骤包括：确定每一所述第一插入点距离最近的所述第一电极；根据当前相邻两个所述第一电极之间的第一子电极的数量在当前相邻两个所述第一电极对应的第一插入点之间的限位框段上确定相同数量的第二插入点；在所述第一子电极对应的第二插入点数量最少的限位框段上确定所述第二子电极对应的第二插入点。6.根据权利要求5所述的导电盘布图方法，其特征在于，每一所述限位框段上所述第一子电极对应的第二插入点到所述电极结构的中心点的连线将当前所述限位框段上的第一插入点与所述电极结构的中心点构成的扇形区域进行角度平均分割。7.根据权利要求5所述的导电盘布图方法，其特征在于，每一所述限位框段上所述第二子电极对应的第二插入点到所述电极结构的中心点的连线将当前所述限位框段上的第一插入点与所述电极结...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊秋锋，张钧云，张宇，郑世杰，李孜怡，
申请(专利权)人：本源科仪成都科技有限公司，
类型：发明
国别省市：