填充单元的版图设计方法技术

本发明专利技术提供一种填充单元的版图设计方法，提供不同的第一、二标准单元，第一、二标准单元分别由沿基准线对称的第三、四标准单元和第五、六标准单元组成，第一、二标准单元分别在基准线处的版图形状相同；设计第三标准单元，第三标准单元的版图与沿基准线相拼接的第三、六标准单元形状相同；在第一、二标准单元间插入第三标准单元。本发明专利技术实现一套标准单元库适用两种设计标准平台，提高了开发效率，节约开发成本，优化了标准单元库的设计开发流程。优化了标准单元库的设计开发流程。优化了标准单元库的设计开发流程。

【技术实现步骤摘要】
填充单元的版图设计方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种填充单元的版图设计方法。

技术介绍

[0002]在现行版图设计规则下，根据水平方向偏移与否，现有技术中标准单元库提供两种标准单元设计标准，适用不同的设计平台，图1、2分别为这两套设计标准的典型标准单元，图1CELLBNDY(标准单元边界层)左右边线和Poly(栅极)中线重合，图2CELLBNDY会向外延伸出去(相邻Poly距离的一半)。因设计标准不同，两种标准单元只能各自独立使用。
[0003]为此，需要一种能够适用两种设计标准的填充单元，以提高开发效率，节约开发成本，优化标准单元库的设计开发流程。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种填充单元的版图设计方法，用于解决现有技术中在现行版图设计规则下，因设计标准不同，两种标准单元只能各自独立使用的问题。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种填充单元的版图设计方法包括：
[0006]步骤一、提供用于不同设计标准的第一、二标准单元，所述第一、二标准单元分别在基准线处的所述设计标准相同；
[0007]步骤二、设计第三标准单元，所述第三标准单元的版图左、右部分的设计标准分别与所述第一、二标准单元的左、右部分的所述设计标准相同；
[0008]步骤三、在第一、二标准单元间插入第三标准单元。优选地，步骤一至三中所述第一、二、三标准单元的版图所述设计标准包括：单元高度、电源总线宽度、地总线宽度、栅极水平布线间距、P/N区域分界线、N阱边线和有源区边线。
[0009]优选地，步骤二中的所述第三标准单元的所述设计标准，根据对应标准单元库的基本参数和流片所需的设计规则文件中最小设计规则确定基本参数。
[0010]优选地，步骤三中所述第三标准单元与所述第一、二标准单元间的距离为零或二分之一相邻两个所述栅极中线间的距离。
[0011]优选地，步骤一中的所述第一标准单元包括：第一标准单元边界层，位于所述第一标准单元边界层内的第一有源区图形，依次等距分布在所述有源区图形上的第一栅极图形，其中两端的所述栅极图形均部分与所述第一有源区图形、第一标准单元边界层的边缘部分重叠；
[0012]所述第二标准单元包括：第二标准单元边界层，位于于所述第二标准单元边界层内的第二有源区图形，依次等距分布在所述有源区图形内的第二栅极图形，依次等距分布在所述有源区图形上的第二栅极图形，其中两端的所述第二栅极图形均与所述第二有源区图形共用同一边界。
[0013]优选地，步骤一中所述第一、二标准单元边界层、所述第一、二栅极图形的高度均相同。
[0014]优选地，步骤二中所述第三标准单元包括：第三标准单元边界层，位于于所述第三标准单元边界层内的第三有源区图形，依次等距分布在所述有源区图形内的第三栅极图形，依次等距分布在所述有源区图形上的第三栅极图形，其中所述第三有源区图形的一端与所述第三标准单元边界层共用同一边界，一端的所述第三栅极图形与共用边界的所述第三有源区图形和所述第三标准单元边界层部分重叠，另一侧所述第三栅极图形与所述第三有源区图形共用同一边界。
[0015]优选地，步骤一至三中所述第一、二、三标准单元的图形设计包括矩形的图案以及边线。
[0016]优选地，所述方法用于鳍式场效应管的版图设计。
[0017]如上所述，本专利技术的填充单元的版图设计方法，具有以下有益效果：
[0018]本专利技术实现一套标准单元库适用两种设计标准平台，提高了开发效率，节约开发成本，优化了标准单元库的设计开发流程。
附图说明
[0019]图1显示为现有技术一种设计标准的标准单元示意图；
[0020]图2显示为现有技术另一种设计标准的标准单元示意图；
[0021]图3显示为本专利技术的填充单元示意图；
[0022]图4显示为本专利技术的填充单元版图布局示意图；
[0023]图5显示为本专利技术的工艺流程示意图。
具体实施方式
[0024]以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。
[0025]请参阅图5，本专利技术提供一种填充单元的版图设计方法包括：
[0026]步骤一，提供用于不同的设计标准不同的第一、二标准单元(10,20)，第一、二标准单元(10,20)分别在基准线处的设计标准相同，其中基准线为第一、二标准单元(10,20)相同设计标准结构的中线；
[0027]示例性的，如图1、图2分别所示的两个标准单元中，基准线选取的位置为中间poly的中线。
[0028]在一种可选的实施方式中，在版图设计中，是由多层叠放的不同图层形成，请参阅图1和图2，步骤一中的第一标准单元10包括：第一标准单元边界层103，位于第一标准单元边界层103内的第一有源区图形104，依次等距分布在有源区图形上的第一栅极图形105，其中两端的栅极图形均部分与第一有源区图形104、第一标准单元边界层103的边缘部分重叠；
[0029]第二标准单元20包括：第二标准单元边界层203，位于于第二标准单元边界层203
内的第二有源区图形204，依次等距分布在有源区图形内的第二栅极图形205，依次等距分布在有源区图形上的第二栅极图形205，其中两端的第二栅极图形205均与第二有源区图形204共用同一边界。
[0030]在一种可选的实施方式中，其中两侧的第一、二栅极可为伪栅的版图。
[0031]在一种可选的实施方式中，步骤一中第一、二标准单元(10,20)边界层、第一、二栅极图形的高度均相同。
[0032]步骤二，设计第三标准单元30，第三标准单元30的版图左、右部分的设计标准分别与所述第一、二标准单元沿基准线的左、右部分的所述设计标准相同；
[0033]应当理解的是，此处第三标准单元30的版图左、右部分的设计标准也可以分别与所述第二、一标准单元的左、右部分的所述设计标准相同。
[0034]在一种可选的实施方式中，步骤二中的所述第三标准单元的所述设计标准，根据对应标准单元库的基本参数和流片所需的设计规则文件中最小设计规则确定基本参数。
[0035]在一种可选的实施方式中，请参阅3，步骤二中第三标准单元30包括：第三标准单元边界层303，位于于第三标准单元边界层303内的第三有源区图形304，依次等距分布在有源区图形内的第三栅极图形305，依次等距分布在有源区图形上的第三栅极图形305，其中第三有源区图形304的一端与第三标准单元边界层303共用同一边界，一端的第三栅极图形305与共用边界的第三有源区图形304和第三标准单元边界层303部分重叠，另一侧第三栅极图形305与第三有源区图形304共用同一边本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种填充单元的版图设计方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供用于不同设计标准的第一、二标准单元，所述第一、二标准单元分别在基准线处的所述设计标准相同；步骤二、设计第三标准单元，所述第三标准单元的版图左、右部分的设计标准分别与所述第一、二标准单元沿所述基准线的左、右部分的所述设计标准相同；步骤三、在第一、二标准单元间插入第三标准单元。2.根据权利要求1所述的填充单元的版图设计方法，其特征在于：步骤一至三中所述第一、二、三标准单元的版图所述设计标准包括：单元高度、电源总线宽度、地总线宽度、栅极水平布线间距、P/N区域分界线、N阱边线和有源区边线。3.根据权利要求1所述的填充单元的版图设计方法，其特征在于：步骤二中的所述第三标准单元的所述设计标准，根据对应标准单元库的基本参数和流片所需的设计规则文件中最小设计规则确定基本参数。4.根据权利要求3所述的填充单元的版图设计方法，其特征在于：步骤三中所述第三标准单元与所述第一、二标准单元间的距离为零或二分之一相邻两个所述栅极中线间的距离。5.根据权利要求1所述的填充单元的版图设计方法，其特征在于：步骤一中的所述第一标准单元包括：第一标准单元边界层，位于所述第一标准单元边界层内的第一有源区图形，依次等距分布在所述有源区图形上的第一栅极图形，其中两端的所述栅极图形均部分与...

【专利技术属性】
技术研发人员：张凯，王飞舟，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：