本申请公开了一种曝光定位装置及接触式曝光机，属于量子芯片加工装置技术领域。一种曝光定位装置，适用于接触式曝光机，所述接触式曝光机包括用于承载晶圆的托盘，以及托盘上方的掩膜版，曝光定位装置包括支撑部和限位机构，所述限位机构设置于所述托盘上，数量为至少三个，且所述限位机构不超出所述托盘表面，每个所述限位机构上滑动连接有至少一个所述支撑部，所述支撑部超出所述托盘表面，且超出托盘表面的高度被设置为大于所述晶圆的高度，使得所述支撑部先于所述晶圆接触到掩膜版。通过上述设置，防止直接接触给晶圆和掩膜版带来损伤、污染等，从而影响最终曝光质量。从而影响最终曝光质量。从而影响最终曝光质量。
【技术实现步骤摘要】
一种曝光定位装置及接触式曝光机
[0001]本申请属于量子芯片加工装置
，特别是涉及一种曝光定位装置及接触式曝光机。
技术介绍
[0002]光刻的过程说起来很简单，在硅片表面匀胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上，是将器件或电路结构临时“复制”到晶圆上的过程。
[0003]目前主流曝光机分为：接触式曝光机、接近式曝光机、投影式曝光机，其中接触式曝光机因设备比简单、精度高等优点仍在大量使用。
[0004]接触式曝光机在正式曝光前会有一次机台在竖直方向上的定位过程，在此过程中，掩膜版与位于托盘上的晶圆会进行一次接触，但掩模版和晶圆直接接触，会对掩膜版或晶圆造成损伤和污染。
技术实现思路
[0005]本申请的目的是提供一种曝光定位装置及接触式曝光机，以解决现有技术中，接触式曝光机在正式曝光前，进行机台定位过程中掩模版和晶圆直接接触，导致掩膜版和晶圆造成损伤和污染的问题，能够顺利完成机台定位且不对掩膜版和晶圆产生损伤或污染。
[0006]为解决上述技术问题，本技术提供一种曝光定位装置，适用于接触式曝光机，所述接触式曝光机包括用于承载晶圆4的托盘1，以及托盘1上方的掩膜版3，曝光定位装置包括支撑部2和限位机构，所述限位机构设置于所述托盘1上，数量为至少三个，且所述限位机构不超出所述托盘1表面，每个所述限位机构上滑动连接有至少一个所述支撑部2，所述支撑部2超出所述托盘1表面，且超出托盘1表面的高度被设置为大于所述晶圆4的高度，使得所述支撑部2先于所述晶圆4接触到掩膜版3。
[0007]优选的，所述支撑部2的形状为柱状。
[0008]优选的，所述支撑部2由第一体和第二体构成，所述第一体设置有螺柱，所述第二体设有与螺柱配合的螺孔。
[0009]优选的，所述至少三个支撑部2超出托盘1表面的高度一致。
[0010]优选的，所述限位机构为滑槽11。
[0011]优选的，所述支撑部2与所述滑槽11可拆卸连接。
[0012]优选的，所述支撑部2为折叠机构，具有展开状态和折叠状态，处于所述折叠状态的折叠机构被收纳入滑槽11中。
[0013]优选的，所述至少三个滑槽11分布在以相同点为圆心的不同径向上。
[0014]优选的，所述至少三个滑槽11相邻之间的夹角相同。
[0015]本申请还提供一种接触式曝光机，用于对所述晶圆4进行曝光，包括前述任一项所述的曝光定位装置。
[0016]与现有技术相比，本申请通过增加支撑部2用于代替晶圆4接触掩膜版3，并且改良
接触式曝光机的托盘1，在其表面增设至少三个供支撑部2滑动的滑槽11，可以在进行机台定位过程中，通过调整支撑部2的高度以及在滑槽11上的位置，防止晶圆4与掩膜版3直接接触，从而防止晶圆4与掩膜版3受到损伤和污染。
附图说明
[0017]图1为本申请提供的带有曝光定位装置的接触式曝光机侧视结构示意图；
[0018]图2为本申请提供的带有曝光定位装置的接触式曝光机俯视结构示意图；
[0019]附图标记说明：1－托盘，11－滑槽，2－支撑部，3－掩膜版，4－晶圆。
具体实施方式
[0020]下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
[0021]请参考图1，本技术实施例提供了一种曝光定位装置，适用于接触式曝光机，接触式曝光机包括用于承载晶圆4的托盘1，以及托盘1上方的掩膜版3，其特征在于，曝光定位装置包括支撑部2和限位机构，限位机构设置于托盘1上，数量为至少三个，且限位机构不超出托盘1表面，每个限位机构上滑动连接有至少一个支撑部2，支撑部2超出托盘1表面，且超出托盘1表面的高度被设置为大于晶圆4的高度，使得支撑部2先于晶圆4接触到掩膜版3。
[0022]具体实施时，在托盘1表面至少设置有三个限位机构，并且限位机构设置在托盘1表面以下，防止影响晶圆4放置；每一个限位机构上至少设置有一个与之对应的支撑部2，使得用于接触掩膜版3的支撑部2也至少有三个；支撑部2超过托盘1表面的高度大于晶圆4在托盘1上的高度，当在机台进行定位时，托盘1带动晶圆4和支撑部2向上升高，直至支撑部2与掩膜版3接触，产生一个达到设定阈值的压力，机台判定为接触，至此机台定位完成，此过程支撑部2代替晶圆4与掩膜版3接触，防止对掩膜版3和晶圆4造成损伤或污染。
[0023]在机台进行定位过程中，由于支撑部2先于晶圆4与掩膜版3接触，为了保证掩膜版3位置、角度不变，需保证支撑部2相对于掩膜版3的合力与机臂对掩膜版3的压力方向相反且在同一条直线上，采用三个以上的支撑部2更容易实现此目的；并且，为了不影响晶圆4在托盘1表面上的位置，因此支撑部2应设置于晶圆4在托盘1表面投影与限位机构重合的部分以外。
[0024]在本申请的一些实施例中，支撑部2的形状为柱状。
[0025]具体实施时，在机台定位时，上述支撑部2与掩膜版3接触，使得支撑部2与掩膜版3之间受力均匀，支撑部2最大程度减小对掩膜版3的污染和损伤，降低掩膜版3的清洗成本。
[0026]进一步地，支撑部2由第一体和第二体构成，第一体设置有螺柱，第二体设有与螺柱配合的螺孔。
[0027]具体实施时，第一体设置为螺柱，第二体设有与螺柱配合的螺孔，第一体用于与掩膜版3接触，第二体用于放置在限位机构内，只需转动第一体即可实现支撑部2的升高或降低；
[0028]或者，上述支撑部2由两部份外壳精密连接，并在外壳表面设有不同位置的卡扣，两部分外壳之间可做活塞运动，支撑部2内部设置有处于压缩状态的弹簧，此时，弹簧提供使两部分外壳分开的弹力，通过不同位置的卡扣与弹簧配合，使得两部分外壳相对位置可
调并在调节后保持不变，从而改变上述支撑部2离开托盘1表面的高度。
[0029]具体实施时，支撑部2可以是棱柱、球体、弹簧等具有竖直方向高度的形状，支撑部2的形状可以根据实际需要选择，不以上述示例为限。
[0030]更进一步地，至少三个支撑部2超出托盘1表面的高度一致。
[0031]在机台进行机台定位过程中，随着机台的上升，支撑部2会先于晶圆4与掩膜版3接触；此时，由于掩膜版3是由机臂通过吸嘴负压吸取，掩膜版3本身与接触式曝光机之间没有刚性结构，因此，设置至少三个支撑部2超出托盘1表面的高度一致，使得至少三个支撑部2最高点所在的平面与掩膜版3表面平行，在接触时各个接触点受力均匀，防止掩膜版3因受到支撑部2的压力导致角度发生偏移。
[0032]在本申请的一些实施例中，限位机构为滑槽11。
[0033]由于每一次接触式曝光所服务的掩膜版3或晶圆4的尺寸、形状都可能不同，按上述曝光程序，在进行机台定位时，需保证支撑部2既要先于晶圆4接触掩膜版3，又不接触到晶圆4，所以，在托盘1表面设置有滑槽11，支撑部2通过改变在滑槽11里的位置，来适应掩膜版3和晶圆4，这样设计使得该方案可以适用于大部分具体曝光需求。
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种曝光定位装置，适用于接触式曝光机，所述接触式曝光机包括用于承载晶圆(4)的托盘(1)，以及托盘(1)上方的掩膜版(3)，其特征在于，曝光定位装置包括支撑部(2)和限位机构，所述限位机构设置于所述托盘(1)上，数量为至少三个，且所述限位机构不超出所述托盘(1)表面，每个所述限位机构上滑动连接有至少一个所述支撑部(2)，所述支撑部(2)超出所述托盘(1)表面，且超出托盘(1)表面的高度被设置为大于所述晶圆(4)的高度，使得所述支撑部(2)先于所述晶圆(4)接触到掩膜版(3)。2.根据权利要求1所述的曝光定位装置，其特征在于，所述支撑部(2)的形状为柱状。3.根据权利要求2所述的曝光定位装置，其特征在于，所述支撑部(2)由第一体和第二体构成，所述第一体设置有螺柱，所述第二体设有与螺柱配合的螺孔。4.根据权利要求2所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：李舒啸，
申请(专利权)人：本源科仪成都科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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