验证利用AEIOVL补偿套刻精度是否有效的方法技术

本申请提供一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，包括：若显影后套刻标记图形和刻蚀后套刻标记图形存在所述补偿偏差，则套刻偏差；获取特征图形偏差；根据套刻偏差和特征图形偏差，进行点对点建模以得到拟合曲线，并获取拟合曲线的K值和相关系数R2；根据相关系数R2以及K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效。本申请通过套刻偏差和特征图形偏差建模得到拟合曲线，并通过拟合曲线的相关系数R2和K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效，确保基于AEI OVL量测反馈的准确性和可靠性，从而改善图层最终真实套刻精度。套刻精度。套刻精度。

【技术实现步骤摘要】
验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法。

技术介绍

[0002]随着IC芯片制程工艺的不断提升，对于先进制程工艺，尤其是28nm节点以下，对套刻精度(Overlay，OVL)的要求越来越高。一般在曝光、显影之后对晶圆进行ADI(显影后检查)OVL量测，某些特殊刻蚀工艺会对晶圆的AEI(刻蚀后检查)OVL影响较大，实际生产中也可以经过AEI OVL补偿反馈，改善ADI OVL与AEI OVL之间的偏差(ADI OVL减AEI OVL)。如何验证基于AEI OVL补偿的套刻精度的准确性，显得尤为重要。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，可以解决如何验证基于AEI OVL补偿的套刻精度的准确性的问题。
[0004]本申请提供了一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，包括：
[0005]选取显影后套刻偏差合格的晶圆作为待验证晶圆；
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，其特征在于，包括：选取显影后套刻偏差合格的晶圆作为待验证晶圆；对所述待验证晶圆进行曝光、显影以得到显影后套刻标记图形；对所述待验证晶圆进行刻蚀以得到刻蚀后套刻标记图形，其中，在光刻过程中利用AEI OVL来补偿套刻精度；根据所述显影后套刻标记图形和所述刻蚀后套刻标记图形，判断是否存在补偿偏差；若存在所述补偿偏差，则根据不同层的刻蚀后套刻标记图形，获取套刻偏差；通过电子束扫描和电镜扫描，获取所述待验证晶圆上的AEI特征图形的关键尺寸；根据不同层的AEI特征图形的关键尺寸，获取特征图形偏差；根据所述套刻偏差和所述特征图形偏差，进行点对点建模以得到拟合曲线，并获取所述拟合曲线的K值和相关系数R2；以及根据所述相关系数R2以及所述K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效。2.根据权利要求1所述的验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，其特征在于，所述根据所述相关系数R2以及所述K值，判断利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式是否有效的步骤包括：若所述相关系数R2大于0.7以及所述K值接近1，则判定利用AEI OVL来补偿套刻精度的方式有效。3.根据权利要求1所述的验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，其特征在于，所述若存在所述补偿偏差，则根据不同层的刻蚀后套刻标记图形，获取套刻偏差的步骤包括：若存在所述补偿偏差，则根据不同层的刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜冒泉，金乐群，李玉华，陈建，李锦茹，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：