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本申请提供一种验证利用AEI OVL补偿套刻精度是否有效的方法，包括：若显影后套刻标记图形和刻蚀后套刻标记图形存在所述补偿偏差，则套刻偏差；获取特征图形偏差；根据套刻偏差和特征图形偏差，进行点对点建模以得到拟合曲线，并获取拟合曲线的K值和相...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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