一种晶片传输腔，晶片沉积系统及晶片取出方法技术方案

本发明专利技术提供了一晶片传输腔，通过支撑组件和取片组件的配合，使晶片和托盘实现分离，取片组件可以相对支撑组件上下运动以从晶片背面托起晶片致晶片与托盘分离，方便后续机器臂将分离后的晶片放入晶片盒，同时，避免了从正面边缘接触晶片造成的颗粒污染，利用系统的对支撑组件和取片组件的匀性轨迹进行控制，能实现更稳定快速的取片流程，有利于提高整体效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶片传输腔，晶片沉积系统及晶片取出方法


[0001]本专利技术涉及晶片沉积
，尤其涉及一种晶片传输腔，晶片沉积系统及晶片取出方法的


技术介绍

[0002]半导体设备，例如芯片，都需要经过在作为衬底的硅晶片上形成微观电路的制作工序，之后再经过测试以及封装并分割成单独个体。其中在微观电路制作过程中，需要首先在硅晶片上沉积不同的材料层作为后续刻蚀的基础，为了提高沉积效率，在沉积腔中，采用同时趁机多个晶片的工艺流程，例如在一圆形托盘上放置多个晶片，在托盘后方设置加热器对晶片进行加热，在晶片上方通入沉积气体。一般情况下，当沉积完成后，通过传送机器人从沉积腔中移出放有晶片的托盘，经过若干功能腔室后最终送至常温常压的放置腔，在放置腔中将晶片取出放入晶片盒，留待下一流程的取用。
[0003]在将晶片放入晶片盒时，通常的方法是带机器人将托盘连同晶片一起放入放置腔后，封闭放置腔和机器人所在的真空传输腔的传片口，然后利用人工撬取的方式在常压环境中，旋转托盘逐一将晶片取出放入晶片盒。当人工撬取时，从晶片边缘着力，必然带来晶片边缘的颗粒污染，为后续沉积或刻蚀步骤带来不良的风险，此外，人工取片效率也无法保证稳定，且流程时间普遍偏长。

技术实现思路

[0004]为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶片传输腔，用于存放承载晶片的托盘，包括：
[0005]设置有传片口的腔室，所述传片口用于容纳承载晶片的托盘进出；
[0006]位于所述腔室内的支撑组件，所述支撑组件与所述托盘活动连接，用于放置托盘；
[0007]位于所述腔室内的取片组件，用于使晶片与托盘分离；
[0008]所述支撑组件和/或取片组件可以转动，且所述支撑组件和/或取片组件可以沿着竖直方向运动。
[0009]可选的，所述支撑组件可以带动托盘转动，所述取片组件可沿竖直方向升起从托盘下方将晶片与托盘分离。
[0010]可选的，所述托盘包括多个内径大于晶片直径的圆孔，所述圆孔内包括与晶片接触的承载面。
[0011]可选的，所述承载面为与圆孔的侧壁固定连接的圆环的上表面，所述取片组件可穿过圆孔与晶片背面接触。
[0012]可选的，所述托盘包括多个凹槽，所述凹槽具有多个通孔，所述通孔位于所述晶片下方。
[0013]可选的，所述通孔垂直托盘设置，所述通孔内设置有升降销。
[0014]可选的，所述取片组件的顶端可推动升降销沿所述通孔上下运动。
[0015]可选的，所述取片组件的顶端具有多个垂直所述托盘的顶针，所述顶针可插入所述通孔。
[0016]可选的，所述支撑组件包括与转动电机相连的支撑轴，所述支撑轴的顶端与所述托盘卡接。
[0017]可选的，所述托盘为圆形，所述支撑组件可沿着竖直方向运动，且可绕所述托盘的中心轴转动。
[0018]可选的，所述取片组件包括至少一个取片柱，所述取片柱位于所述晶片下方。
[0019]可选的,所述托盘为圆形，所述取片组件包括取片柱，所述取片柱可绕所述圆盘的中心轴转动。
[0020]本专利技术还提供了一种晶片沉积系统，包括：
[0021]上述任意一项所述的晶片传输腔；
[0022]反应腔，用于在晶片上进行沉积反应；
[0023]真空传输腔，包括第一机械臂，用于从所述反应腔中取出所述托盘；
[0024]存放腔，包括第二机械臂，用于从晶片传输腔中取出晶片放入晶片盒。
[0025]可选的，还包括冷却腔，所述第一机械臂将所述托盘从冷却腔中取出后放入所述晶片传输腔。
[0026]本专利技术还提供了一种晶片取出方法，包括以下步骤：
[0027]在上述任意一项所述的晶片传输腔中，使所述取片组件相对所述托盘向上运动从所述托盘分离部分晶片；
[0028]取走被分离的晶片，使所述取片组件相对所述托盘向下运动到初始位置；
[0029]旋转所述支撑组件和/或取片组件至下一位置，重复上述步骤直至所有晶片从所述托盘上被分离后取走。
[0030]本专利技术的优点在于：本专利技术提供了一晶片传输腔，通过支撑组件和取片组件的配合，使晶片和托盘实现分离，取片组件可以相对支撑组件上下运动以从晶片背面托起晶片致晶片与托盘分离，方便后续机器臂将分离后的晶片放入晶片盒，同时，避免了从正面边缘接触晶片造成的颗粒污染，利用系统的对支撑组件和取片组件的匀性轨迹进行控制，能实现更稳定快速的取片流程，有利于提高整体效率，本专利技术还提供了一种晶片沉积系统，包括配置有支撑组件和取片组件的传输腔，通过与沉积腔及机械臂的配合使用，可以优化整个晶片传输流程，提高自动化。
附图说明
[0031]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为现有技术中沉积反应腔的结构示意图；
[0033]图2为使用本专利技术实施例一托盘的反应腔的结构示意图；
[0034]图3为本专利技术的实施例一托盘结构示意图；
[0035]图4为本专利技术的实施例一托盘局部放大结构示意图；
[0036]图5为本专利技术的实施例一托盘仰视图；
[0037]图6为本专利技术的实施例一传输腔状态一结构示意图；
[0038]图7为本专利技术的实施例一传输腔状态二结构示意图；
[0039]图8为本专利技术的实施例二托盘局部放大结构示意图；
[0040]图9为本专利技术的实施例二传输腔状态一结构示意图；
[0041]图10为本专利技术的实施例二传输腔状态二结构示意图；
[0042]图11为本专利技术的实施例三托盘局部放大结构示意图；
[0043]图12为本专利技术的实施例三传输腔状态一结构示意图；
[0044]图13为本专利技术的实施例三传输腔状态二结构示意图
[0045]图14为本专利技术的晶片沉积系统结构示意图。
具体实施方式
[0046]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0047]如图1所示为现有技术中，用于在晶片表面沉积的反应腔示意图，包括一反应腔室，在腔室顶部设置有气体喷淋头5，在腔室底部设置有排气口，从气体喷淋头5输入沉积气体到反应腔，在晶片2上沉积后，多余的气体经过排气口排出，通过气体喷淋头5和排气口保持反应腔内的气体压力。托盘100用于承载晶片2，通常为了提高反应效率，在同一托盘上放置多个晶片2。基台400用于支撑托盘100，为了反应均匀，可以控制基台400沿着某个方向匀速旋转，在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片传输腔，用于存放承载晶片的托盘，其特征在于，包括：设置有传片口的腔室，所述传片口用于容纳承载晶片的托盘进出；位于所述腔室内的支撑组件，所述支撑组件与所述托盘活动连接，用于放置托盘；位于所述腔室内的取片组件，用于使晶片与托盘分离；所述支撑组件和/或取片组件可以转动，且所述支撑组件和/或取片组件可以沿着竖直方向运动。2.如权利要求1所述的晶片传输腔，其特征在于，所述支撑组件可以带动托盘转动，所述取片组件可沿竖直方向升起从托盘下方将晶片与托盘分离。3.如权利要求2所述的晶片传输腔，其特征在于，所述托盘包括多个内径大于晶片直径的圆孔，所述圆孔内包括与晶片接触的承载面。4.如权利要求3所述的晶片传输腔，其特征在于，所述承载面为与圆孔的侧壁固定连接的圆环的上表面，所述取片组件可穿过圆孔与晶片背面接触。5.如权利要求2所述的晶片传输腔，其特征在于，所述托盘包括多个凹槽，所述凹槽具有多个通孔，所述通孔位于所述晶片下方。6.如权利要求5所述的晶片传输腔，其特征在于，所述通孔垂直托盘设置，所述通孔内设置有升降销。7.如权利要求6所述的晶片传输腔，其特征在于，所述取片组件的顶端可推动升降销沿所述通孔上下运动。8.如权利要求5所述的晶片传输腔，其特征在于，所述取片组件的顶端具有多个垂直所述托盘的顶针，所述顶针可插入所述通孔。9.如权利要求2所述的晶片传输腔，其特征在于，所述支...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜勇，汪国元，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：