【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体领域,具体涉及一种导电导热垫片、半导体组件及等离子体处理装置。
技术介绍
1、等离子体处理装置包括相对设置的上电极组件和下电极组件,所述上电极组件和下电极组件都是由多种不同材料的部件组合而成,其中一些相邻部件间需要导电和导热。以上电极组件为例,所述上电极组件包括安装基板和设于安装基板下方的气体喷淋头,二者间接触面若存在缝隙,会影响射频传输和热传递。并且,在高温情况下,气体喷淋头或安装基板受热变形,使得二者之间的缝隙不均匀;或者,在需要10kw以上高射频功率的高深宽比刻蚀制程中,上电极组件的射频电流和热负载随之增加,都会进一步影响气体喷淋头和安装基板间的导电或导热效果。
2、因此,迫切需要一种性能优异的导电导热垫片设置在相邻部件之间,以满足相邻部件之间的导电导热需求,且不易产生颗粒污染物,以提高晶圆的良率。
技术实现思路
1、本技术的目的是提供一种导电导热垫片、半导体组件及等离子体处理装置,所述导电导热垫片设置于所述半导体组件中的第一部件与第二部件之间,以提高第一
...【技术保护点】
1.一种导电导热垫片,其特征在于,包含:
2.如权利要求1所述的导电导热垫片,其特征在于,所述导电材料为石墨粉或铝粉。
3.如权利要求1所述的导电导热垫片,其特征在于,所述导电导热垫片的厚度为0.1mm-0.5mm。
4.如权利要求3所述的导电导热垫片,其特征在于,所述底部金属层或顶部金属层的厚度为10μm-100μm。
5.如权利要求1所述的导电导热垫片,其特征在于,还包括:中部金属层,设于所述底部金属层和所述顶部金属层之间,且所述中部金属层与底部金属层之间、以及中部金属层与顶部金属层之间均设有所述粘合层。
【技术特征摘要】
1.一种导电导热垫片,其特征在于,包含:
2.如权利要求1所述的导电导热垫片,其特征在于,所述导电材料为石墨粉或铝粉。
3.如权利要求1所述的导电导热垫片,其特征在于,所述导电导热垫片的厚度为0.1mm-0.5mm。
4.如权利要求3所述的导电导热垫片,其特征在于,所述底部金属层或顶部金属层的厚度为10μm-100μm。
5.如权利要求1所述的导电导热垫片,其特征在于,还包括:中部金属层,设于所述底部金属层和所述顶部金属层之间,且所述中部金属层与底部金属层之间、以及中部金属层与顶部金属层之间均设有所述粘合层。
6.如权利要求5所述的导电导热垫片,其特征在于,所述底部金属层、顶部金属层和中间金属层的材料为铝箔。
7.一种半导体组件,其特征在于,包括:第一部件和第二部件,所述第一部件和第二部件之间设置如权利要求1至权利要求6任意一项所述的导电导热垫片。
...【专利技术属性】
技术研发人员:叶如彬,周艳,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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