本申请公开了一种沟槽隔离结构及其形成方法，涉及半导体技术领域，本申请的沟槽隔离结构形成方法，包括：提供衬底，衬底的一个侧面上形成多个用于隔离设置器件的凹槽；采用化学气相沉积在凹槽的表面形成第一介电层；采用热氧工艺以使反应离子穿透第一介电层与衬底的材料反应形成与第一介电层贴合的第二介电层，第一介电层和第二介电层作为隔离层与衬底形成沟槽隔离结构。本申请提供的沟槽隔离结构及其形成方法，能够在提高耐压的同时减少对衬底的消耗。
【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种沟槽隔离结构及其形成方法。
技术介绍
1、在当今半导体制备过程中，沟槽隔离是半导体制备过程的前道工序中最重要和最复杂的工序之一，沟槽隔离工艺已经被广泛应用于0.25微米以下的半导体制造工艺技术中。随着特征尺寸的不断降低，沟槽隔离工艺也在不断的改进和发展。对于浅沟槽隔离工艺的基本要求是：当大量的晶体管器件等集成到越来越小的芯片上时，它能很好的把每一个微小器件绝缘隔离，同时又不会影响这些器件的工作特性。具体的，在晶圆上形成多个沟槽并在沟槽的底壁、侧壁以及外沿上形成隔离层以实现对各个微小器件的绝缘隔离。
2、现有技术采用热氧化工艺氧化衬底靠近沟槽的材料以形成隔离结构，当沟槽的深度较大时，采用热氧化工艺具有以下缺点：1)沟槽底部形成氧化层的厚度远远小于表面和侧壁厚度，使得沟槽底壁的隔离层无法达到预期要求，会影响耐压，导致耐压较低；2)热氧工艺采用氧气或者氮气与衬底发生反应形成隔离层，会消耗沟槽周边的衬底材料，缩小台面宽度，减低器件窗口。
技术实现思路
>1、本申请的目的在本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述采用热氧工艺以使反应离子穿透所述第一介电层与所述衬底的材料反应形成与所述第一介电层贴合的第二介电层包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述氧离子穿过第一介电层与硅衬底的材料反应生成第二氧化硅层的同时，所述氧离子与所述第一介电层反应以致密所述第一介电层。
4.根据权利要求2所述的沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述高温湿氧工艺的温度在1000-1200℃之间，氧化速率在120-150A/min之间。
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【技术特征摘要】
1.一种沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述采用热氧工艺以使反应离子穿透所述第一介电层与所述衬底的材料反应形成与所述第一介电层贴合的第二介电层包括：
3.根据权利要求2所述的沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述氧离子穿过第一介电层与硅衬底的材料反应生成第二氧化硅层的同时，所述氧离子与所述第一介电层反应以致密所述第一介电层。
4.根据权利要求2所述的沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述高温湿氧工艺的温度在1000-1200℃之间，氧化速率在120-150a/min之间。
5.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，所述采用化学气相沉积在所述凹槽的表面形...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜盼晓，王友伟，戴凯，葛雯宇，
申请(专利权)人：捷捷微电南通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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