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本申请公开了一种沟槽隔离结构及其形成方法，涉及半导体技术领域，本申请的沟槽隔离结构形成方法，包括：提供衬底，衬底的一个侧面上形成多个用于隔离设置器件的凹槽；采用化学气相沉积在凹槽的表面形成第一介电层；采用热氧工艺以使反应离子穿透第一介电层与...
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