【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种等离子体处理装置。
技术介绍
1、目前通常采用等离子刻蚀、物理气相沉积、化学气相沉积等工艺对半导体工艺件或衬底进行微加工，例如制造柔性显示屏、平板显示器、发光二极管、太阳能电池等。微加工制造的不同步骤可以包括等离子体辅助工艺，如晶圆边缘刻蚀工艺，这种工艺一般在真空反应腔内进行，通过将晶圆的中心区域保护起来，只在晶圆的边缘附近产生等离子体，以刻蚀掉晶圆边缘所不需要的沉积物质。
2、为了保证晶圆刻蚀的均匀性及刻蚀效果，需保证晶圆水平放置，以保证工艺刻蚀的均匀性，另外也要保证上电极组件和下电极组件的同心度，使两者之间的刻蚀区域重合，以保证晶圆边缘的刻蚀效果。
3、在传送晶圆进出真空反应腔时，上电极组件抬起；对晶圆进行处理时，上电极组件下降并与晶圆之间留下微小的间距。因此，上电极组件在下降到晶圆附近时，需要与晶圆、下电极组件保持极高的同心度，使得晶圆边缘暴露在等离子体中的部分在圆周方向对称，才能得到均匀的刻蚀，以保证斜边刻蚀(bevel etch)的效果。
4、在等离...
【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环包括至少两个相互分立的圆弧部，每个所述圆弧部上至少连接一组所述驱动机构。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述圆弧部的两端设置台阶部，相邻两个圆弧部的台阶部的形状相匹配。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述台阶部的长度大于所述边缘环可沿径向移动的距离。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括移动组件，所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘环包括至少两个相互分立的圆弧部，每个所述圆弧部上至少连接一组所述驱动机构。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述圆弧部的两端设置台阶部，相邻两个圆弧部的台阶部的形状相匹配。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述台阶部的长度大于所述边缘环可沿径向移动的距离。
5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括移动组件，所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环固定连接。
6.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述驱动机构包括移动组件及至少一组复位组件；所述移动组件的一端固定在所述上电极上并延伸出所述真空反应腔，其另一端穿设于所述上电极内并与所述边缘环的内侧接触式连接，用于驱动所述边缘环相对于所述上电极作第一方向上的移动；所述复位组件用于驱动所述边缘环相对于所述上电极作第二方向上的移动。
7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向的方向相反。
8.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置在所述凸台部内，并与所述边缘环的内侧接触式连接。
9.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置在所述边缘环内，并与所述凸台部接触式连接。
10.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述复位组件设置于所述边缘环远离所述凸台部的一端的外侧，并与所述边缘环的外侧固定连接。
...【专利技术属性】
技术研发人员：杨宽，王洪青，刘武平，王明明，连增迪，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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