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本发明公开了一种等离子体处理装置，包括：真空反应腔，位于真空反应腔内用于承载晶圆的下电极组件，与所述下电极组件相对设置其可上下移动的上电极组件，所述上电极组件包括下端具有凸台部的上电极和环绕所述凸台部的边缘环，位于所述上电极组件上的至少两组...
该专利属于中微半导体设备（上海）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中微半导体设备（上海）股份有限公司授权不得商用。

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