【技术实现步骤摘要】
一种立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构
[0001]本专利技术涉及锁紧机构
,特别是涉及一种立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构。
技术介绍
[0002]碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料,是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料,在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值,因此成为当前全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。
[0003]物理气相传输法(Physical Vapor Transport
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PVT)是用于生长碳化硅晶体的常用方法,该方法将碳化硅籽晶设置在石墨坩埚盖上或是顶端,石墨坩埚内装有作为生长原料的碳化硅粉末,控制生长温度使得生长原料分解成气相组分后在石墨坩埚内部轴向温度梯度的驱动下,输运到籽晶处生长碳化硅晶体。
[0004]在碳化硅炉长晶结束后需要更换添加新的原料用于继续长晶,每次装料都需要打开下炉盖,为了使炉盖与炉膛密封,采用螺纹螺栓连接方式每次都需要人工拆卸螺丝,这样既费时费力降低效率,又可能发生意外造成伤害。通过转环的形式来锁紧炉盖, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构,其特征在于,包括设置于框架或炉体上的锁紧组件和驱动系统,所述锁紧组件包括联动块、安装座、连杆座和驱动结构;所述安装座用于与所述框架或炉体相连接,所述驱动结构设置于所述安装座一端,所述连杆座设置于所述安装座另一端,所述联动块与所述连杆座活动连接,所述驱动结构与所述联动块传动连接,所述驱动系统与所述驱动结构动力连接。2.根据权利要求1所述的立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构,其特征在于,所述驱动结构包括气缸或液压缸,所述气缸或液压缸设置于所述安装座一端。3.根据权利要求2所述的立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构,其特征在于,所述驱动结构还包括缸杆接头,所述缸杆接头一端与所述气缸的缸杆连接,所述缸杆接头另一端与所述联动块的一端可转动连接。4.根据权利要求1所述的立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构,其特征在于,所述驱动系统为驱动管路系统,包括主驱动管路和冗余保护管路,所述主驱动管路分别为缸体有杆腔和无杆腔提供驱动力,所述冗余保护管路为缸体无杆腔提供驱动力。5.根据权利要求4所述的立式晶体生长炉下炉盖锁紧机构,其特征在于,所述冗余保护管路包括先导式单向阀,所述先导式单...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘鹏,徐文立,胡建宇,施佳伟,
申请(专利权)人:宁波恒普真空科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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