【技术实现步骤摘要】
一种保温体和坩埚双旋转的碳化硅生长装置
[0001]本技术属于碳化硅生长
，具体涉及一种保温体和坩埚双旋转的碳化硅生长装置。
技术介绍
[0002]碳化硅作为第三代半导体材料具有宽带隙，高击穿电场以及高热导率等特点，适用于高频电器，大功率电器以及高档电子器件。目前最常用的碳化硅单晶生长方法为PVT法，是一种在高温和低压的生长环境下将原料升华，再根据相应的温度梯度在籽晶上凝华成碳化硅单晶的过程方法。使用该方法生长一次碳化硅晶体的周期是一周左右，满足生长要求的环境温度是2200℃
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2400℃；在这种长时间的低压高温环境下，保温材料、石墨坩埚会因为不断的石墨化而发生质量损失；同时由于保温材料和石墨坩埚在装配过程中产生的几何位置不对称的情况，往往会导致热场分布不均匀。晶体在生长过程中受热不均匀就会导致产出的晶体不对称；同时随着晶体尺寸的增加，热场的不均匀性会导致晶体沿径向存在较大的热应力以及杂质和缺陷分布不均等问题。较大的热应力容易导致晶体在加工过程中发生开裂等问题；杂质和缺陷分布不均也会制约衬底沿径向的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种保温体和坩埚双旋转的碳化硅生长装置，其特征在于：包括坩埚旋转机构与保温体旋转机构，所述坩埚旋转机构包括固定设置的上盖（1），上盖（1）上固定设置有第一驱动电机（2），第一驱动电机（2）通过皮带传动带动竖直的坩埚吊杆（5）转动，坩埚吊杆（5）的下端固定设置有坩埚（6）；所述保温体旋转机构包括保温体（7），坩埚（6）设置于保温体（7）内部，保温体（7）的下端固定于保温体托盘（8）内部，保温体托盘（8）下端设置有第二驱动电机（10），第二驱动电机（10）固定于底座（9）上端面，第二驱动电机（10）通过齿轮传动带动保温体托盘（8）进行转动。2.根据权利要求1所述的一种保温体和坩埚双旋转的碳化硅生长装置，其特征在于：所述上盖（1）为水平设置的板状结构，上盖（1）的中心处设置有一个上下贯通的过孔，所述第一驱动电机（2）设置于上盖（1）的上端面上并且位于过孔的一侧，第一驱动电机（2）的输出轴竖直朝上设置，所述上盖（1）的上端面过孔处设置有磁流体（4），磁流体（4）的上端固定设置有从动皮带轮，所述第一驱动电机（2）的输出轴上固定设置有主动皮带轮，主动皮带轮与从动皮带轮之间通过皮带（3）相连接。3.根据权利要求2所述的一种保温体和坩埚双旋转的碳化硅生长装置，其特征在于：所述坩埚吊杆（5）的上端穿过上盖（1）的过孔并且与磁流体（4）可拆卸连接，坩埚吊杆（5）的下端与坩埚（6）可拆卸连接。4.根据权利要求3所述的一种保温体和坩埚双旋转的碳化硅生长装置，其特征在于：坩埚吊杆（5）与上盖（1）的过孔通过轴承相转动连接。5.根据权利要求1所述的一种保温体和坩埚双旋转的碳化硅生长装置，其特征在于：所述保温体（7）为中空的圆筒状结构，包括可拆卸连接在一起的筒体与筒盖；所述筒盖的中心处设...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐志强，周立平，刘英斌，李天，刘慧强，李明，
申请(专利权)人：山西烁科晶体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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