半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法技术

本发明专利技术公开了半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法，具体步骤为：将含杂质较多的工业级过氧化氢作为原料，先通过至少一组经预处理的反渗透膜去除有机杂质；接着通过串联相接的至少一组阳离子交换树脂柱与至少一组阴离子交换树脂柱去除离子杂质，或者再通过至少一组混合阴阳离子交换树脂柱去除离子杂质，最后进入膜过滤器过滤，收集目标产物半导体级过氧化氢。本发明专利技术的工艺路线简单，不需要使用特殊的装置或材料，设备投资小，生产成本较低。生产成本较低。

【技术实现步骤摘要】
半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法，使半导体级过氧化氢溶液中B元素含量降低至5ppt以下和Si元素含量降低至1ppb以下。

技术介绍

[0002]半导体级过氧化氢水溶液作为一种超净高纯电子化学品，是电子技术微细加工制作过程中不可缺少的关键性基础化工材料之一，主要用做半导体晶片的清洗剂、腐蚀剂和光刻胶的去除剂，电子工业制取高级绝缘层、去除电镀液中无机杂质，以及铜、铜合金和半导体材料镓、锗及显像管制造工序的处理等。半导体级过氧化氢水溶液中的Si元素对大规模集成电路的材料、器件性能和成品率都有很大的影响，它会降低热生长的氧化物的可靠性，造成磷硅雾,阀值电压变化，等离子刻蚀，也会形成颗粒污染而影响图形缺陷，会降低电子管及固体电路的质量，近年来已有电子级材料厂家提纯半导体级过氧化氢水溶液中Si含量＜3ppb甚至更低的要求。在半导体生产工艺中，硼是 p型杂质,过量会使n型硅反型，对电子、空穴浓度有影响。因此在制备半导体级过氧化氢水溶液, 要充分考虑硼的脱除 。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法，其特征在于该方法具体步骤为：将含杂质较多的工业级过氧化氢作为原料，先通过至少一组经预处理的反渗透膜去除有机杂质；接着通过串联相接的至少一组阳离子交换树脂柱与至少一组阴离子交换树脂柱去除离子杂质，或者再通过至少一组混合阴阳离子交换树脂柱去除离子杂质，最后进入膜过滤器过滤，收集目标产物半导体级过氧化氢。2.如权利要求1所述的半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法，其特征在于所述反渗透膜处理及交换树脂处理的工艺过程的运行压力在0.1
‑
0.3Mpa，温度在5
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30℃。3.如权利要求1所述的半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法，其特征在于去B的阳离子交换树脂依次经醇、酸、碱、酸或含不低于50%醇的酸、碱、酸再生处理；去B的阴离子交换树脂依次经醇、碱、酸、碱或含不低于50%醇的碱、酸、碱再生处理。4.如权利要求1所述的半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法，其特征在于去Si的阳离子交换树脂依次经醇、酸、碱、酸、醇或含不低于50%醇的酸、碱、酸、醇再生处理；去Si的阴离子交换树脂依次经醇、碱、酸、碱、醇或含不低于50%醇的碱、酸、碱、醇再生处理。5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪永超，白秀君，周继业，汤磊鹏，
申请(专利权)人：杭州精欣化工有限公司，
类型：发明
国别省市：