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本发明公开了半导体级过氧化氢溶液中B、Si元素的去除方法，具体步骤为：将含杂质较多的工业级过氧化氢作为原料，先通过至少一组经预处理的反渗透膜去除有机杂质；接着通过串联相接的至少一组阳离子交换树脂柱与至少一组阴离子交换树脂柱去除离子杂质，或者...
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