滤波器晶圆级模组封装结构制造技术

本实用新型专利技术的滤波器晶圆级模组封装结构，是一种模组芯片，该模组芯片由同时利用塑封料进行包封的多个不同种类芯片组成，塑封料包封芯片上表面和侧壁、以及除部分金属互联线之外的区域，金属互联线和减薄后塑封料的表面制作RDL线路，减薄后塑封料和RDL线路的表面制作钝化保护层；模组芯片内的单个芯片包括晶圆和金属互联线以及第一、二绝缘层，第一绝缘层位于晶圆表面，第一绝缘层暴露出部分电极、部分切割道和叉指换能器，第二绝缘层位于第一绝缘层表面，金属互联线覆盖在部分电极处；第一绝缘层、第二绝缘层以及晶圆之间形成空腔。本实用新型专利技术先将形成不同空腔的芯片用塑封料包封保护，防止金属互联线发生氧化及芯片受潮，提高芯片密封性。芯片密封性。芯片密封性。

【技术实现步骤摘要】
滤波器晶圆级模组封装结构


[0001]本技术属于半导体封装
，具体涉及一种滤波器晶圆级模组封装结构。

技术介绍

[0002]滤波器是一种选频装置，可以使信号中特定的频率成分通过，而极大地衰减其它频率成分。在现代通信
内，几乎没有一个分支不受到滤波技术的影响。无线通信行业的快速发展，对滤波器提出来更高的要求，更轻、更小、更短、更薄以及更低价的微电子产品才能顺应市场的需求。
[0003]当前晶圆级模组封装的芯片体积较大，尺寸及厚度难以进一步减小；在滤波器晶圆级模组封装时，芯片直接贴在基板上，加工效率较低。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本技术提供了一种滤波器晶圆级模组封装结构，使芯片的密封性更好，避免芯片在封装和后续的使用中受潮，可靠性更高。
[0005]本技术是通过以下技术手段实现上述技术目的的。
[0006]一种滤波器晶圆级模组封装结构，所述滤波器晶圆级模组封装结构是一种模组芯片，所述模组芯片包括多个不同种类的芯片，多个不同种类的芯片同时利用塑封料进行包封，塑封料包封芯片上表面和侧壁、以及除部分金属互联线之外的区域，金属互联线和减薄后的塑封料的表面均制作有RDL线路，减薄后的塑封料和RDL线路的表面均制作有钝化保护层；
[0007]所述芯片包括晶圆、第一绝缘层、第二绝缘层和金属互联线，所述第一绝缘层位于晶圆表面，所述第一绝缘层暴露出部分电极、部分切割道和叉指换能器，所述第二绝缘层位于第一绝缘层表面，所述金属互联线覆盖在部分电极处；所述第一绝缘层、第二绝缘层以及晶圆之间形成空腔。
[0008]上述技术方案中，所述电极、金属互联线以及RDL线路电性连接。
[0009]上述技术方案中，所述空腔作为叉指换能器功能区的保护空腔。
[0010]上述技术方案中，所述RDL线路的材质为Ti、Cu、Al、Au、W、Mo的金属单质或其合金。
[0011]上述技术方案中，所述第一绝缘层的厚度大于1um，所述第二绝缘层的厚度大于5um，所述金属互联线比第二绝缘层高1um以上，所述塑封料的厚度大于1um，所述RDL线路的厚度大于1um，所述钝化保护层的厚度大于1um。
[0012]本技术的有益效果为：
[0013](1)本技术先将单个芯片利用两层绝缘层形成空腔保护，再将被不同空腔保护的多个芯片用塑封料包封，防止金属互联线发生氧化以及芯片受潮等情况的发生，保证芯片的密封性更好，封装的芯片可靠性更高；
[0014](2)本技术封装模组贴片后的芯片为晶圆级尺寸，可以灵活选择不同种类的
芯片和各种尺寸的晶圆级封装方案，完全兼容目前晶圆级封装设备和工艺，实现了模组的晶圆级封装。
附图说明
[0015]图1为本技术所述滤波器晶圆级模组封装流程图；
[0016]图2为本技术所述制作的第一层绝缘层示意图；
[0017]图3为本技术所述制作的第二层绝缘层示意图；
[0018]图4为本技术所述制作的金属互联线示意图；
[0019]图5为本技术所述单颗芯片示意图；
[0020]图6为本技术所述贴有不同芯片的晶圆级封装托盘示意图；
[0021]图7为本技术所述注塑包封示意图；
[0022]图8为本技术所述减薄塑封料后的示意图；
[0023]图9为本技术所述制作的RDL线路示意图；
[0024]图10为本技术所述重新定义并漏出的焊盘位置示意图；
[0025]图中：101
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晶圆，102
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电极，103
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叉指换能器，104
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第一绝缘层，105
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切割道，106
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第二绝缘层，108
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金属互联线，110
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晶圆级封装托盘，111
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塑封料，112
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RDL线路，113
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钝化保护层。
具体实施方式
[0026]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本技术，并不用于限定本技术。
[0027]本技术一种滤波器晶圆级模组封装结构，是一种模组芯片，如图10所示，模组芯片包括多个不同种类的芯片，多个不同种类的芯片同时利用塑封料111进行包封，塑封料111包封单颗芯片上表面和侧壁、以及除部分金属互联线108之外的区域，金属互联线108和减薄后的塑封料111的表面制作有RDL线路112，除焊盘位置，减薄后的塑封料111和RDL线路112表面制作有钝化保护层113。
[0028]芯片包括晶圆101、第一绝缘层104、第二绝缘层106和金属互联线108，其中第一绝缘层104位于晶圆101表面除部分电极102、部分切割道和叉指换能器103之外的区域，第二绝缘层106位于第一绝缘层104表面，且第一绝缘层104、第二绝缘层106以及晶圆101之间形成的空腔作为功能区的保护空腔；金属互联线108覆盖在部分电极102处；其中电极102、金属互联线108、RDL线路112电性连接。
[0029]如图1所示，本技术一种滤波器晶圆级模组封装结构通过如下方法封装而成：
[0030]步骤(1)，制作第一绝缘层104
[0031]如图2所示，使用半导体旋转涂布技术或喷涂技术或层压技术在晶圆101上涂覆光敏有机绝缘涂层，再使用光刻技术在光敏有机绝缘涂层上，将晶圆101表面的电极102、叉指换能器103以及切割道105区域暴露出来，制作形成第一绝缘层104；其中第一绝缘层104的厚度大于1um。
[0032]为了方便描述，本实施例中，将晶圆101均分为两颗相同的芯片，具体的芯片数量
根据实际需求进行设置，切割道105位于两颗芯片中间位置。
[0033]步骤(2)，制作第二绝缘层106
[0034]如图3所示，通过层压技术将光敏有机绝缘层材料贴合在第一绝缘层104表面，然后使用光刻技术将晶圆101表面的电极102和切割道105暴露出来，制作成型第二绝缘层106；第二绝缘层106的厚度大于5um(图中第二绝缘层106仅用于示意，并不表示真实的厚度)。
[0035]第一绝缘层104、第二绝缘层106以及晶圆103之间形成有空腔，作为保护功能区的空腔。
[0036]步骤(3)，制作金属互联线108
[0037]如图4所示，在第二绝缘层106表面进行PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)溅射，形成金属种子层(图中未示意)；然后在金属种子层表面除电极102的位置外，使用光刻工艺进行光阻保护；再经过金属填充工艺和刻蚀工艺在电极102处形成金属互联线108；金属互联线108比第二层绝缘层106高1um以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器晶圆级模组封装结构，其特征在于，所述滤波器晶圆级模组封装结构是一种模组芯片，所述模组芯片包括多个不同种类的芯片，多个不同种类的芯片同时利用塑封料(111)进行包封，塑封料(111)包封芯片上表面和侧壁、以及除部分金属互联线(108)之外的区域，金属互联线(108)和减薄后的塑封料(111)的表面均制作有RDL线路(112)，减薄后的塑封料(111)和RDL线路(112)的表面均制作有钝化保护层(113)；所述芯片包括晶圆(101)、第一绝缘层(104)、第二绝缘层(106)和金属互联线(108)，所述第一绝缘层(104)位于晶圆(101)表面，所述第一绝缘层(104)暴露出部分电极(102)、部分切割道和叉指换能器(103)，所述第二绝缘层(106)位于第一绝缘层(104)表面，所述金属互联线(108)覆盖在部分电极(102)处；所述第一绝缘层(104)、第二绝缘层(106)以及晶圆(101)之间形成空腔。2.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级模组封装结构，其特征在于，所述电极(102)、金属互联线(108)以及R...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱其壮，金科，吕军，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：