半导体封装件制造技术

一种半导体封装件包括其中设置有连接布线的支撑基板。至少一个电容器设置在支撑基板上。电容器具有从支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。再分布布线层覆盖支撑基板的上表面。再分布布线层具有分别与连接布线以及第一电极和第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在再分布布线层上。半导体芯片具有芯片焊盘和外连接器，芯片焊盘电连接到再分布布线，外连接器设置在支撑基板的下表面上并电连接到连接布线。连接到连接布线。连接到连接布线。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装件
[0001]优先权声明
[0002]本申请要求于2020年12月18日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0178164的优先权，其内容通过引用整体全文合并于此。


[0003]本公开涉及半导体，并且更具体地，涉及半导体封装件和制造半导体封装件的方法。

技术介绍

[0004]作为用于扇出封装件中的应用处理器的去耦电容器而安装的电容器可以以焊盘侧电容器(Land
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Side Capacitor，LSC)的形式制造。由于LSC型电容器设置在其上设置有焊料球的外表面上，因此电容器会需要相对薄。因此，在电容器的表面安装期间可能出现裂纹。另外，这种电容器的电容可能受到限制。

技术实现思路

[0005]一种半导体封装件包括其中设置有连接布线的支撑基板以及设置在所述支撑基板上的至少一个电容器。所述电容器包括从所述支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。再分布布线层覆盖所述支撑基板的所述上表面。所述再分布布线层具有分别与所述连接布线以及所述第一电极和所述第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在所述再分布布线层上。所述半导体芯片具有芯片焊盘和外连接器，所述芯片焊盘电连接到所述再分布布线，所述外连接器设置在所述支撑基板的下表面上并电连接到所述连接布线。
[0006]一种半导体封装件包括支撑基板，所述支撑基板具有穿透其的腔。至少一个电容器设置在所述支撑基板的所述腔中。所述电容器具有从所述支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。密封层填充所述腔并且覆盖所述支撑基板的下表面。再分布布线层覆盖所述支撑基板的所述上表面。所述再分布布线层具有分别与所述支撑基板的所述连接布线以及所述第一电极和所述第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在所述再分布布线层上。所述半导体芯片具有芯片焊盘和外连接器，所述芯片焊盘分别电连接到所述再分布布线，所述外连接器设置在所述密封层的下表面上并且分别电连接到所述连接布线。
[0007]一种半导体封装件包括混合堆叠基板，所述混合堆叠基板包括具有连接布线的支撑基板和穿透所述支撑基板的腔。至少一个电容器设置在所述支撑基板的所述腔中。所述至少一个电容器包括从所述支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极。再分布布线层覆盖所述支撑基板的所述上表面，并具有分别与所述连接布线以及所述第一电极和所述第二电极电连接的再分布布线。半导体芯片设置在所述混合堆叠基板上。所述半导体芯片包括电连接到所述再分布布线的芯片焊盘。设置在所述混合堆叠基板的下表面上的外连接器电连接到所述连接布线。
[0008]一种半导体封装件包括封装基板。混合堆叠基板经由连接器安装在所述封装基板
上。半导体芯片安装在所述混合堆叠基板上。所述混合堆叠基板包括支撑基板，所述支撑基板具有分别电连接到连接器的连接布线。至少一个无源元件设置在所述支撑基板中。所述电容器的表面从所述支撑基板的上表面暴露。再分布布线层覆盖所述支撑基板的所述上表面，并且具有分别与所述连接布线和所述无源元件电连接的再分布布线。
[0009]一种半导体封装件可以包括混合堆叠基板，所述混合堆叠基板具有支撑基板和再分布布线层，所述支撑基板中嵌入有至少一个电容器，所述再分布布线层堆叠在所述支撑基板上并且具有分别与电容器的第一电极和第二电极以及所述支撑基板的连接布线电连接的再分布布线。至少一个半导体芯片安装在所述混合堆叠基板上。外连接器设置在所述混合堆叠基板的下表面上。
附图说明
[0010]将容易获得对本公开的更完全理解及其附带方面中的许多方面，因为通过参照下面结合附图考虑的详细描述，这些变得更好理解，其中：
[0011]图1是示出按照本公开的示例实施例的半导体封装件的截面图；
[0012]图2是示出图1中的部分“A”的放大截面图；
[0013]图3至图13是示出按照本公开的示例实施例的制造半导体封装件的方法的截面图；
[0014]图14是示出按照本公开的示例实施例的半导体封装件的截面图；
[0015]图15是示出按照本公开的示例实施例的制造半导体封装件的方法的截面图；
[0016]图16是示出按照本公开的示例实施例的半导体封装件的截面图；
[0017]图17是示出按照本公开的示例实施例的制造半导体封装件的方法的截面图；
[0018]图18是示出按照本公开的示例实施例的半导体封装件的截面图；以及
[0019]图19是示出按照本公开的示例实施例的半导体封装件的截面图。
具体实施方式
[0020]在下文中，将参考附图详细地说明本公开的示例实施例。
[0021]图1是示出按照本公开的示例实施例的半导体封装件的截面图。图2是示出图1中的部分“A”的放大截面图。
[0022]参照图1和图2，半导体封装件10可以包括混合堆叠基板100、安装在混合堆叠基板100上的至少一个半导体芯片300以及设置在混合堆叠基板100的外表面上的外连接器500。半导体封装件10还可以包括设置在混合堆叠基板100上并覆盖半导体芯片300的模制件400。混合堆叠基板100可以包括作为芯基板的支撑基板110和堆叠在支撑基板110上的再分布布线层140。
[0023]在本公开的示例实施例中，半导体封装件10可以包括被提供为支撑半导体芯片300的基体基板的混合堆叠基板100。混合堆叠基板100可以包括连接布线120和再分布布线，连接布线120设置在半导体芯片300用作与半导体芯片300的电连接路径的区域之外的扇出区域上。因此，半导体封装件10可以被提供为扇出封装件。半导体封装件10可以被提供为其上堆叠有第二封装件的单元封装件。
[0024]另外，半导体封装件10可以被提供为系统级封装(SIP)。例如，半导体芯片可以包
括具有逻辑电路的逻辑芯片和/或存储芯片。逻辑芯片可以是控制存储芯片的控制器。存储芯片可以包括诸如动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(ReRAM)、铁电随机存取存储器(FeRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)等的各种存储电路。
[0025]在本公开的示例实施例中，混合堆叠基板100可以包括支撑基板110，支撑基板110其上设置有诸如电容器200的无源元件。再分布布线层140可以堆叠在支撑基板110上。
[0026]例如，支撑基板110可以具有彼此相对的第一表面(上表面)112和第二表面(下表面)114。支撑基板110可以在其中间区域中具有腔116。腔116可以从支撑基板110的第一表面112延伸到第二表面114。
[0027]支撑基板110可以是通过嵌入式迹线基板(ETS)方法形成的无芯基板。在这种情况下，支撑基板110可以包括多个绝缘层和在绝缘层中的电路层。或者，支撑基板可以是芯多层基板。在这种情况下，芯多层基板可以包括芯层和堆叠在芯层的上表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：支撑基板，所述支撑基板包括设置在其上的连接布线；至少一个电容器，所述至少一个电容器设置在所述支撑基板上，所述至少一个电容器具有从所述支撑基板的上表面暴露的第一电极和第二电极；再分布布线层，所述再分布布线层覆盖所述支撑基板的所述上表面，所述再分布布线层具有分别与所述连接布线以及所述第一电极和所述第二电极电连接的再分布布线；半导体芯片，所述半导体芯片设置在所述再分布布线层上，所述半导体芯片具有电连接到所述再分布布线的芯片焊盘；以及外连接器，所述外连接器设置在所述支撑基板的下表面上并电连接到所述连接布线。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述支撑基板包括腔，并且所述至少一个电容器设置在所述腔中。3.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述至少一个电容器的上表面从所述支撑基板的所述上表面暴露。4.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中，所述腔穿透所述支撑基板，并且所述半导体封装件还包括：密封层，所述密封层至少部分地填充所述腔并且覆盖所述支撑基板的所述下表面。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其中，所述外连接器设置在所述密封层的下表面上，并且所述外连接器分别通过形成在所述密封层中的开口电连接到所述连接布线。6.根据权利要求4所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：下再分布布线层，所述下再分布布线层设置在所述密封层的下表面上，所述下再分布布线层包括电连接到所述连接布线的下再分布布线。7.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述外连接器设置在所述下再分布布线层上，并且所述外连接器分别电连接到所述下再分布布线层的所述下再分布布线。8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述至少一个电容器的厚度大于或等于所述支撑基板的厚度。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：模制件，所述模制件设置在所述再分布布线层上并且覆盖所述半导体芯片。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：多个导电连接器，所述多个导电连接器穿透所述模制件的至少一部分，所述多个导电连接器分别电连接到所述再分布布线层的所述再分布布线。11.一种半导体封装件，所述半导体封...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜明杉，高永灿，金廷锡，文炅墩，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：