一种滤波器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种滤波器及其制备方法，该制备方法包括：提供复合晶圆；电极设置于复合层远离晶圆衬底一侧；复合晶圆包括切割区以及元件设置区；元件设置区设置有电极；在切割区制备凹槽；凹槽贯穿复合层和部分晶圆衬底；在凹槽内制备绝缘结构；绝缘结构包括覆盖电极侧壁的第一绝缘分部以及覆盖凹槽侧壁的第二绝缘分部；第一绝缘分部包括靠近第二绝缘分部一侧的第一端部，第二绝缘分部包括靠近第一绝缘分部一侧的第二端部，第一端部和第二端部直接连接且平滑连接，第一端部和第二端部的斜率均不为零；沿切割线至少切割复合晶圆，得到多个滤波器。采用一步工艺制备凹槽，且绝缘结构覆盖电极侧壁和凹槽侧壁，能够防止器件分层，可靠性高且工艺简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种滤波器及其制备方法。

技术介绍

1、滤波器是一种选频装置，可以使信号中特定的频率成分通过，而极大地衰减其他频率成分，从而被广泛应用于信号处理等领域。

2、现有的滤波器的晶圆级封装结构存在翘曲较大，且可能存在分层问题，使得滤波器的晶圆级封装结构的封装可靠性较低，进而导致器件的可靠性偏低。

3、因此，亟需提出一种滤波器的制备方法来解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本专利技术实施例提供了一种滤波器及其制备方法，采用一步工艺制备凹槽，且绝缘结构覆盖电极侧壁和凹槽侧壁，能够防止器件分层，可靠性高且工艺简单。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种滤波器的制备方法，包括：

3、提供复合晶圆；所述复合晶圆包括叠层设置的晶圆衬底、复合层和电极，所述电极设置于所述复合层远离所述晶圆衬底一侧；所述复合晶圆包括切割区以及元件设置区，所述切割区围绕所述元件设置区；所述元件设置区设置有所述电极；

4、在所述切割区制备凹槽；沿所述滤波器的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述切割区制备凹槽，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述切割区制备凹槽，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复合晶圆还包括叉指换能器；所述叉指换能器设置于所述复合层远离所述晶圆衬底一侧；

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述凹槽内制备绝缘结构之后，还包括：

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘结构中设置有第三凹槽，所述第三凹槽暴露部分所述电极；

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【技术特征摘要】

1.一种滤波器的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述切割区制备凹槽，包括：

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述切割区制备凹槽，包括：

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复合晶圆还包括叉指换能器；所述叉指换能器设置于所述复合层远离所述晶圆衬底一侧；

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述凹槽内制备绝缘结构之后，还包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：吕军，朱其壮，金科，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：