System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种LED芯片fan-out晶圆级封装结构及其封装方法技术_技高网

一种LED芯片fan-out晶圆级封装结构及其封装方法技术

技术编号:40504164 阅读:7 留言:0更新日期:2024-03-01 13:18
本发明专利技术公开了一种LED芯片fan‑out晶圆级封装结构及其封装方法,封装结构包括R、G、B三色为一组的三个LED芯片,LED芯片的发光侧贴合设置衬底,衬底之间填充有包裹衬底的侧面和LED芯片的侧面的绝缘遮光层,绝缘遮光层的表层与衬底的表层齐平。本发明专利技术实现LED芯片fan‑out封装同时解决横向光串扰问题,本发明专利技术提供的封装方法,对比常规LED解决串扰问题流程更简单,成本更低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域,尤其涉及一种led芯片fan-out晶圆级封装结构及其封装方法。


技术介绍

1、led显示屏是八十年代后期在全球迅速发展起来的新型信息显示媒体,它利用发光二极管构成的点阵模块或像素单元组成大面积显示屏幕,有性能稳定、使用寿命长、环境适应力强、性价比高、使用成本低等特点,在短短时间内,迅速成长为各类显示的主流产品,在信息显示领域得到了广泛的应用。

2、随着led的逐渐发展,晶圆级led封装终于出现并发展迅速。晶圆级led的特点是体积较小,多种电子元器件集成在芯片大小的封装结构中,导致了一些问题的产生。

3、目前常见的问题如led的像素点之间会出现串扰的问题,由此导致了led的亮度会有损失,且均匀性差,如此问题制约了晶圆级led的继续发展。但是,现有的晶圆级led封装解决光串扰问题很多都在驱动基板上实现,封装工艺复杂,成本较高,急需改进。


技术实现思路

1、针对上述存在的问题,本专利技术的目的在于提供种led芯片fan-out晶圆级封装结构及其封装方法,采用晶圆级封装技术实现led芯片的六面包封解决横向串扰问题。

2、为实现上述目的,本专利技术在第一个方面提供了一种led芯片fan-out晶圆级封装结构,包括r、g、b三色为一组的三个led芯片,所述led芯片的发光侧贴合设置衬底,所述衬底之间填充有包裹所述衬底的侧面和所述led芯片的侧面的绝缘遮光层,所述绝缘遮光层的表层与所述衬底的表层齐平。

3、可选地,相邻所述led芯片之间在所述绝缘遮光层上设置表层遮光层,所述表层遮光层覆盖相邻所述led芯片的边缘。

4、可选地,相邻一组所述led芯片之间在所述绝缘遮光层上设置表层遮光层,所述表层遮光层覆盖相邻一组所述led芯片的边缘。可选地,所述绝缘遮光层在所述led芯片的电极处开设窗口,所述窗口中设置用于将所述led芯片的电极引出的互联金属。

5、本专利技术在第二个方面提供了一种led芯片fan-out晶圆级封装方法,用于制备上述的led芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,包括以下步骤:

6、准备衬底,在衬底正面上覆盖一层透光的透明固晶胶层;

7、led芯片的正极向上,通过透明固晶胶层将led芯片粘附于衬底上;

8、在衬底上,沿led芯片的设置位置的周向开设通槽;

9、在整个衬底上制备包裹整个led芯片的绝缘遮光层,在绝缘遮光层上于led芯片的电极所在位置开设露出led芯片的电极的窗口;

10、在窗口中制备互联金属,以将led芯片的电极引出;

11、对衬底背面进行减薄,减薄至露出通槽内的绝缘遮光层。

12、可选地,包括以下步骤:

13、在衬底背面制备覆盖衬底的表面遮光层,在表面遮光层上于每个led芯片发光位置处开窗使led光线透出。

14、可选地,包括以下步骤:

15、在衬底背面制备覆盖衬底的表面遮光层,在表面遮光层上对每组led芯片共同开窗使每组led芯片露出。

16、可选地,所述通槽的制备采用机械开槽工艺或激光开槽工艺。

17、可选地,所述绝缘遮光层的制备采用喷涂、涂布、压膜、点胶、塑封中的一种或多种方法。

18、可选地,所述互联金属的制备采用3d打印、印刷、pvd、光刻和电镀中的一种或多种方法,所述表面遮光层的制备采用光刻、金属沉积和刻蚀中的一种或多种方法。

19、本专利技术具有以下有益效果:

20、本专利技术提供的封装结构及封装方法通过在衬底上开设通槽,并在通槽中填充绝缘遮光层,再通过减薄衬底露出通槽中的绝缘遮光层,解决了led晶圆级封装不同芯片间有横向光串扰问题,对比现有的解决方案流程简单,成本较低,且获得的封装结构的厚度大大降低。

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【技术保护点】

1.一种LED芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,包括R、G、B三色为一组的三个LED芯片,所述LED芯片的发光侧贴合设置衬底,所述衬底之间填充有包裹所述衬底的侧面和所述LED芯片的侧面的绝缘遮光层,所述绝缘遮光层的表层与所述衬底的表层齐平。

2.根据权利要求1所述的LED芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,相邻所述LED芯片之间在所述绝缘遮光层上设置表层遮光层,所述表层遮光层覆盖相邻所述LED芯片的边缘。

3.根据权利要求1所述的LED芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,相邻一组所述LED芯片之间在所述绝缘遮光层上设置表层遮光层,所述表层遮光层覆盖相邻一组所述LED芯片的边缘。

4.根据权利要求1所述的LED芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,所述绝缘遮光层在所述LED芯片的电极处开设窗口,所述窗口中设置用于将所述LED芯片的电极引出的互联金属。

5.一种LED芯片fan-out晶圆级封装方法,用于制备权利要求1-5任一所述的LED芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,包括以下步骤:

6.根据权利要求5所述的LED芯片fan-out晶圆级封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

7.根据权利要求5所述的LED芯片fan-out晶圆级封装方法,其特征在于,包括以下步骤:

8.根据权利要求5所述的LED芯片fan-out晶圆级封装方法,其特征在于,所述通槽的制备采用机械开槽工艺或激光开槽工艺。

9.根据权利要求5所述的LED芯片fan-out晶圆级封装方法,其特征在于,所述绝缘遮光层的制备采用喷涂、涂布、压膜、点胶、塑封中的一种或多种方法。

10.根据权利要求5所述的LED芯片fan-out晶圆级封装方法,其特征在于,所述互联金属的制备采用3D打印、印刷、PVD、光刻和电镀中的一种或多种方法,所述表面遮光层的制备采用光刻、金属沉积和刻蚀中的一种或多种方法。

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【技术特征摘要】

1.一种led芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,包括r、g、b三色为一组的三个led芯片,所述led芯片的发光侧贴合设置衬底,所述衬底之间填充有包裹所述衬底的侧面和所述led芯片的侧面的绝缘遮光层,所述绝缘遮光层的表层与所述衬底的表层齐平。

2.根据权利要求1所述的led芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,相邻所述led芯片之间在所述绝缘遮光层上设置表层遮光层,所述表层遮光层覆盖相邻所述led芯片的边缘。

3.根据权利要求1所述的led芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,相邻一组所述led芯片之间在所述绝缘遮光层上设置表层遮光层,所述表层遮光层覆盖相邻一组所述led芯片的边缘。

4.根据权利要求1所述的led芯片fan-out晶圆级封装结构,其特征在于,所述绝缘遮光层在所述led芯片的电极处开设窗口,所述窗口中设置用于将所述led芯片的电极引出的互联金属。

5.一种led芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱其壮吕军金科陈振国门龙龙
申请(专利权)人:苏州科阳半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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