【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装，尤其是一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法。
技术介绍
1、随着电子技术的发展，大功率芯片成为行业发展的趋势，为了提高功率芯片的能力，大功率芯片通常使用铜线键合替代铝线键合，以避免铝线键合因为键合线导流能力和热膨胀系数(cte)差异大，进而影响到产品可靠性。晶圆出厂制造时芯片表面的保护层为铝层，通常在几个μm的厚度，直接使用铜线连接会对芯片造成损伤。
2、现有技术中，通过在芯片表面进行镀银处理，专门增加覆盖一层厚度在几十个μm的保护层，从而防止铜线连接对芯片造成损伤。但是，这种处理方式，成本高，制程长，生产效率低。
技术实现思路
1、本申请人针对上述现有生产技术中的缺点，提供一种结构合理的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，通过设置无氧铜铂和高温焊片，对芯片上的焊盘进行加厚，能够对芯片产生保护作用，防止铜线连接对芯片造成损伤，其步骤简单，制程短，能够有效提高生产效率，降低生产成本。
2、本专利技术所采用的技术方案如下：
3、一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，包括以下步骤：
4、s1.对芯片进行等离子清洗；
5、s2.将芯片焊接于dbc基板上，从而得到第一焊接组件；
6、s3.在第一焊接组件的芯片焊盘表面放置高温焊片；
7、s4.在s3.中高温焊片的表面放置无氧铜铂，得到第二焊接组件，采用真空加流焊接设备对第二焊接组件进行焊接；
8、所述无氧铜铂的底部均匀设置有数
9、s5.第二焊接组件上需要连接的无氧铜铂之间采用第一铜线进行连接；
10、第二焊接组件上无氧铜铂与dbc基板之间采用第二铜线进行连接；
11、s6.随后在dbc基板表面灌封绝缘材料，并使得绝缘材料覆盖第一焊接组件，绝缘材料固化后，完成封装。
12、作为上述技术方案的进一步改进：
13、s1.中，等离子清洗时间为2h。
14、s3.中，所述高温焊片的厚度为0.1mm。
15、所述高温焊片、无氧铜铂的形状均与芯片上对应的焊盘形状一致。
16、s4.中，所述无氧铜铂的厚度为0.1mm。
17、s4.中，焊接温度为240℃-260℃。
18、s5.中，所述第一铜线和第二铜线均采用超声焊接设备进行固定。
19、s6.中，绝缘材料采用有机硅材料。
20、s6.中，所述绝缘材料的厚度为3mm。
21、本专利技术的有益效果如下：
22、本专利技术结构紧凑、合理，操作方便，通过设置无氧铜铂，对芯片上的焊盘进行加厚，能够提高芯片的稳定性和使用寿命，从而在后续芯片焊接过程中，有效提高芯片焊接的可靠性，提高芯片焊接质量。
23、本专利技术中的无氧铜铂具备低应力、焊接可靠性高的特点，通过高温焊片连接到芯片焊盘表面，对芯片电极进行保护，能够解决传统的镀银芯片在大电流、大压合工况下产生的可靠性差问题，提高了芯片的稳定性和使用寿命。
24、本专利技术中通过设置s2.和s3.步骤，即可完成对芯片表面焊盘的加厚，制程短，具有广泛的应用前景，能够适用于各种类型的芯片保护，提高芯片的稳定性和使用寿命。
25、本专利技术中通过设置无氧铜铂，使得芯片具备使用铜线连接的条件，铜线连接能够有效提高芯片能力，使得芯片能够适用于大功率工况；并且能够根据实际需要调整铜线直径、绝缘材料种类参数，以满足不同领域的需求。
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1.一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：S1.中，等离子清洗时间为2h。
3.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：S3.中，所述高温焊片(2)的厚度为0.1mm。
4.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：所述高温焊片(2)、无氧铜铂(3)的形状均与芯片(1)上对应的焊盘形状一致。
5.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：S4.中，所述无氧铜铂(3)的厚度为0.1mm。
6.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：S4.中，焊接温度为240℃-260℃。
7.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：S5.中，所述第一铜线(4)和第二铜线(5)均采用超声焊接设备进行固定。
8.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：S6.中，绝缘材料采用有
9.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：S6.中，所述绝缘材料的厚度为3mm。
...【技术特征摘要】
1.一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：s1.中，等离子清洗时间为2h。
3.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：s3.中，所述高温焊片(2)的厚度为0.1mm。
4.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：所述高温焊片(2)、无氧铜铂(3)的形状均与芯片(1)上对应的焊盘形状一致。
5.如权利要求1所述的一种基于无氧铜铂加厚的芯片封装方法，其特征在于：s4....
【专利技术属性】
技术研发人员：方海军，陆子堃，罗海斌，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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