【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率模块领域，尤其涉及一种功率模块及其封装工艺。
技术介绍
1、功率器件模块封装时，功率器件模块的键合质量影响到封装质量。功率器件模块为si基mosfet、igbt。
2、键合后功率器件模块会出现键合线变形、焊点偏移、焊点尺寸超标、焊点颈部裂纹、键合线损伤、划伤、芯片剥离、弹坑、芯片缺损等问题，都会降低封装的良率。
3、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、针对上述现有技术的缺点，本专利技术的目的是提供一种功率模块及其封装工艺，以解决现有技术中功率器件模块采用键合时出现的各类缺陷从而影响封装质量的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
3、一种功率模块；
4、包括基板、针体、第一引线框架、贴装在所述第一引线框架上的芯片、连接所述芯片栅极的第二引线框架和连接所述芯片发射极的第三引线框架；所述针体的一端分别插接在所述第一引线框架、所述第二引线框架和所述第三引线框架；所述针体的另一端插接在所述基板上。
5、进一步的技术方案为：功率模块还包括栅极引线和发射极引线；所述芯片栅极通过所述栅极引线连接所述第二引线框架；所述芯片发射极通过所述发射极引线连接所述第三引线框架。
6、进一步的技术方案为：功率模块还包括第四引线框架；所述第四引线框架分别连接所述栅极引线和所述发射
7、进一步的技术方案为：所述基板包括依次设置的上桥栅极区、上桥集电极区、上桥发射极与下桥集电极区和下桥栅极区；上桥发射极与下桥集电极区上设置有下桥发射极区；一组所述第二引线框架连接所述上桥栅极区，另一组所述第二引线框架连接所述下桥栅极区；一组所述第一引线框架连接所述上桥集电极区，另一组所述第一引线框架连接所述上桥发射极与下桥集电极区；一组所述第三引线框架连接所述上桥发射极与下桥集电极区，另一组所述第三引线框架连接所述下桥发射极区。
8、进一步的技术方案为：所述针体包括铜柱和围绕所述铜柱间隔设置的铜箔；所述铜箔间隔缠绕在所述铜柱上。
9、进一步的技术方案为：所述第一引线框架、所述第二引线框架和所述第三引线框架上分别开设第一安装孔；所述基板上开设第二安装孔；所述针体的一端插入所述第一安装孔；所述针体的另一端插入所述第二安装孔。
10、一种功率模块的封装工艺：
11、步骤1、芯片贴装在第一引线框架上；
12、步骤2、芯片上连接第四引线框架；芯片的栅极通过栅极引线引出连接到第二引线框架；芯片的发射极通过发射极引线引出连接到第三引线框架；
13、步骤3、将针体分别插入第一引线框架、第二引线框架和第三引线框架；
14、步骤4、散热板安装在第四引线框架上；
15、步骤5、将第一引线框架、芯片、第二引线框架、第三引线框架和第四引线框架塑封为成型件；
16、步骤6、将成型件上针体插入基板。
17、进一步的技术方案为：步骤1中芯片采用热压键合、超声波焊接、微焊接或共晶焊接贴装在第一引线框架上。
18、进一步的技术方案为：步骤4中导热界面材料涂抹在散热板和第四引线框架之间。
19、与现有技术相比，本专利技术的有益技术效果如下：(1)芯片贴装在第一引线框架上，再分别连接第二引线框架和第三引线框架；第一引线框架、第二引线框架和第三引线框架上插有针体，再将针体另一端插在基板上，就可以完成芯片和基板之间的连接；避免了芯片采用键合的方式连接在基板上产生缺陷，从而影响封装质量；(2)当芯片损坏或是要更换新的芯片，只需要将成型件拔下后就可以更换新的成型件，就可以完成芯片的更换，而不需要将功率模块整体报废；先将第一引线框架、芯片、第二引线框架、第三引线框架和第四引线框架塑封为成型件，成型件通过针体插入基板，不需要对功率模块整体塑封，提高了塑封的良率。
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1.一种功率模块，其特征在于：包括基板(6)、针体(5)、第一引线框架(1)、贴装在所述第一引线框架(1)上的芯片(2)、连接所述芯片(2)栅极的第二引线框架(3)和连接所述芯片(2)发射极的第三引线框架(4)；所述针体(5)的一端分别插接在所述第一引线框架(1)、所述第二引线框架(3)和所述第三引线框架(4)；所述针体(5)的另一端插接在所述基板(6)上。
2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于：功率模块还包括栅极引线(11)和发射极引线(12)；所述芯片(2)栅极通过所述栅极引线(11)连接所述第二引线框架(3)；所述芯片(2)发射极通过所述发射极引线(12)连接所述第三引线框架(4)。
3.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于：功率模块还包括第四引线框架(7)；所述第四引线框架(7)分别连接所述栅极引线(11)和所述发射极引线(12)。
4.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于：所述基板(6)包括依次设置的上桥栅极区(61)、上桥集电极区(62)、上桥发射极与下桥集电极区(63)和下桥栅极区(64)；上桥发射极与下桥集电极区(63
5.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于：所述针体(5)包括铜柱(51)和围绕所述铜柱(51)间隔设置的铜箔(52)；所述铜箔(52)间隔缠绕在所述铜柱(51)上。
6.如权利要求5所述的功率模块，其特征在于：所述第一引线框架(1)、所述第二引线框架(3)和所述第三引线框架(4)上分别开设第一安装孔(53)；所述基板(6)上开设第二安装孔(54)；所述针体(5)的一端插入所述第一安装孔(53)；所述针体(5)的另一端插入所述第二安装孔(54)。
7.一种功率模块的封装工艺，应用如权利要求1所述的功率模块，其特征在于：
8.如权利要求7所述的功率模块的封装工艺，其特征在于：步骤1中芯片(2)采用热压键合、超声波焊接、微焊接或共晶焊接贴装在第一引线框架(1)上。
9.如权利要求8所述的功率模块的封装工艺，其特征在于：步骤4中导热界面材料涂抹在散热板和第四引线框架(7)之间。
...【技术特征摘要】
1.一种功率模块，其特征在于：包括基板(6)、针体(5)、第一引线框架(1)、贴装在所述第一引线框架(1)上的芯片(2)、连接所述芯片(2)栅极的第二引线框架(3)和连接所述芯片(2)发射极的第三引线框架(4)；所述针体(5)的一端分别插接在所述第一引线框架(1)、所述第二引线框架(3)和所述第三引线框架(4)；所述针体(5)的另一端插接在所述基板(6)上。
2.如权利要求1所述的功率模块，其特征在于：功率模块还包括栅极引线(11)和发射极引线(12)；所述芯片(2)栅极通过所述栅极引线(11)连接所述第二引线框架(3)；所述芯片(2)发射极通过所述发射极引线(12)连接所述第三引线框架(4)。
3.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于：功率模块还包括第四引线框架(7)；所述第四引线框架(7)分别连接所述栅极引线(11)和所述发射极引线(12)。
4.如权利要求2所述的功率模块，其特征在于：所述基板(6)包括依次设置的上桥栅极区(61)、上桥集电极区(62)、上桥发射极与下桥集电极区(63)和下桥栅极区(64)；上桥发射极与下桥集电极区(63)上设置有下桥发射极区(65)；一组所述第二引线框架(3)连接所述上桥栅极区(61)，另一组所述第二引线框架(3)连接所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王素，张鹏，戴鑫宇，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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