【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种滤波器晶圆级封装结构及其封装方法。
技术介绍
1、滤波器能够对电源线中特定频率的频点或该频点以外的频率进行有效滤除，得到一个特定频率的电源信号，因此，滤波器作为一种选频装置在信号处理过程受到了广泛地应用。
2、对滤波器进行晶圆级封装的步骤为：步骤一：在晶圆工作表面粘贴一层底膜；步骤二：在底膜上光刻，以形成通孔、切割道和腔体；步骤三：在底膜上粘贴一层顶膜，并在顶膜上光刻，以露出通孔；步骤四：在通孔内电镀金属层；并在金属层上制作预设图案；步骤五：在通孔上制作焊点；步骤六：沿切割道进行切割，以将整个晶圆切割为预先设计好的多个芯片。
3、上述封装方法中，滤波器晶圆采用两层膜形成空腔进行保护，易产生塌膜，膜与膜结合力不好,导致功能区失效等问题。其次，封装后整体厚度偏厚，芯片难以进一步减薄。而且，两层膜均为光敏材料，对工艺、设备、成本的要求太高。
4、为此，亟需提供一种滤波器晶圆级封装结构及封装方法工艺解决上述问题。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括晶圆，所述晶圆上包括至少一个电极和至少一个功能区，每一个独立的所述功能区的表面均包覆设置有金属保护层，每一个所述金属保护层上均开设有至少一个释放孔，所述金属保护层和所述功能区之间存在空腔区域，所述晶圆上设置覆盖所述电极和所述金属保护层的钝化保护层。
2.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述钝化保护层在所述电极所在位置开设贯穿至所述电极的窗口，所述窗口中设置与所述电极电性连接用于将所述电极引至所述钝化保护层表面的金属互联。
3.根据权利要求2所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括晶圆，所述晶圆上包括至少一个电极和至少一个功能区，每一个独立的所述功能区的表面均包覆设置有金属保护层，每一个所述金属保护层上均开设有至少一个释放孔，所述金属保护层和所述功能区之间存在空腔区域，所述晶圆上设置覆盖所述电极和所述金属保护层的钝化保护层。
2.根据权利要求1所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述钝化保护层在所述电极所在位置开设贯穿至所述电极的窗口，所述窗口中设置与所述电极电性连接用于将所述电极引至所述钝化保护层表面的金属互联。
3.根据权利要求2所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，所述钝化保护层上在所述金属互联所在位置处设置与所述金属互联电性连接的凸点。
4.一种滤波器晶圆级封装方法，用于制备权利要求1-3任一所述的滤波器晶圆级封装结构，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的滤波器晶圆级封装方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅、多晶硅和光刻胶中的一种或多种，所述牺牲层的制备方法包括涂布工艺或沉积工...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱其壮，吕军，金科，朱杉，倪飞龙，
申请(专利权)人：苏州科阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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