【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，特别涉及一种基于带隙的上电复位电路。
技术介绍
1、por（上电复位）电路用来给芯片提供上电复位信号。在电源上电稳定之前，por输出复位信号使芯片处于复位状态。在电源稳定后，复位信号被释放，芯片可以进入正常工作模式。bandgap（带隙）电路是最基本的电路模块之一，大多数芯片都集成bandgap电路，它可以为芯片提供稳定的、与电源电压无关的基准电压。
2、传统的por电路利用电容采样电源电压的变化，但当电源上升时间较长时，可能无法产生复位脉冲，且当电源快速掉电时，电容上存储的电荷无法快速释放，将会导致复位失效，使电路无法正常工作。因此，亟需设计一个可靠的por电路，使芯片能够进入正确的工作状态。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种基于带隙的上电复位电路，以解决
技术介绍
中的问题。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种基于带隙的上电复位电路，包括：
3、带隙电路，为芯片提供稳定的、与电源电压无关的基准电压；
...【技术保护点】
1.一种基于带隙的上电复位电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于带隙的上电复位电路，其特征在于，所述电流镜包括第四PMOS管、第六PMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管；
3.如权利要求2所述的基于带隙的上电复位电路，其特征在于，所述电流比较器包括第五PMOS管、第九NMOS管和反相器；
4.如权利要求3所述的基于带隙的上电复位电路，其特征在于，所述基于带隙的上电复位电路还包括低通滤波器，由第零电阻和第零电容构成；所述第零电阻的第一端连接第三PMOS管的漏端，所述第零电容的第一端接地；所述第零电阻的第二端和所述第零...
【技术特征摘要】
1.一种基于带隙的上电复位电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的基于带隙的上电复位电路，其特征在于，所述电流镜包括第四pmos管、第六pmos管、第七nmos管和第八nmos管；
3.如权利要求2所述的基于带隙的上电复位电路，其特征在于，所述电流比较器包括第五pmos管、第九nmos管和反相器；
4.如权利要求3所述的基于带隙的上电复位电路，其特征在于，所述基于带隙的上电复位电路还包括低通滤波器，由第零电阻和第零电容构成；所述第零电...
【专利技术属性】
技术研发人员：程剑平，吴光林，
申请(专利权)人：上海芯炽科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：
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