一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺。本发明专利技术采用先丝印银浆电极再镀半导体电热膜，最后采取一次加热完成玻璃钢化和电极烧结处理的制作方式，优化了工艺方法，使工序更加的简单，降低生产成本，提高了生产效益，避免了对玻璃的多次加热而影响玻璃的质量，同时，透明半导体电热膜结晶后附在电极表面，具有抗氧化、增强强度、防腐防潮等物化性质，可以有效对银浆电极形成保护膜，提升电极的稳定性；另外，镀膜钢化过程一次升温退温一体成型制作工艺，使产品稳定性和良品率更高。使产品稳定性和良品率更高。

【技术实现步骤摘要】
一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺


[0001]本专利技术涉及电热膜钢化玻璃
，具体为一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺。

技术介绍

[0002]半导体纳米电热膜是新一代的发热材料。它的发热方式不同于传统金属电阻丝。它零感抗，纯电阻发热，可接受1V
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1000V电压输入，供电电源不分正负，交直流均可使用。并且以面状发热打破了传统的线状发热形态，热传递效果好，电热转换效率高：80％～97％，具有较好的节能优势。其具有抗酸碱腐蚀，抗氧化，阻燃，防潮，膜层硬度高，需金刚砂以上的硬度打磨才会破坏膜层，膜层无毒、无有害辐射、无任何污染等物化性质。
[0003]透明半导体电热膜技术目前运用最广的镀膜基体是微晶玻璃。由于透明半导体电热膜前驱液需要700度左右高温使用，所以对镀膜基体的材质要求非常严格，需要热膨胀系数低，硬度高，绝缘，物理化学性质稳定，可很好的与透明半导体电热膜前驱液结晶形成不易氧化，不易磨损，导电率高，耐潮湿，耐一定酸碱性等一系列优良的物理化学性质的透明半导体电热膜。由于微晶玻璃的热膨胀系数很低，能适应六百度的冷热冲击，在280
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550℃透明半导体发热微晶玻璃电热膜的高温领域具有很大的优势。但微晶玻璃的缺点在于价格昂贵，是普通钢化玻璃的5
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6倍，进口微晶玻璃的价格更是国内生产价格的2
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3倍。透明半导体纳米电热膜高功率高温领域微晶玻璃还是占据很大优势，但在低温领域由于微晶玻璃镀膜基体的成本高昂，性价比也受到了很大的影响，再加上低温电热膜领域现有的碳晶柔性电热膜等技术的出现，对于透明半导体发热微晶玻璃的低温市场受到很大冲击。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术中所存在的问题，本专利技术公开了一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺，包括步骤如下：步骤一、将钢化前的玻璃原片加工切割成指定尺寸和形状，得到镀膜基体；步骤二、对镀膜基体通过玻璃清洗机清洗烘干；步骤三、通过自动化丝印机先将银浆电极丝印在清洗烘干后的镀膜基体上的设计位置，待银浆电极干固后再将半导体纳米电热膜阻隔浆料丝印在镀膜基体上的设计位置，得到电极镀膜基体；步骤四、在电极镀膜基体表面镀膜加工形成透明半导体纳米电热膜；步骤五、将完成镀膜的电极镀膜基体送入加热炉中，分别经过预热烘干段、中温固化段、高温镀膜段的三段式阶梯升温加热，最后送入风冷系统中进行快速冷却，完成退火钢化处理得到透明半导体发热钢化玻璃；步骤六、在完成镀膜的透明半导体发热钢化玻璃上的电极上外接导线，得到成品。
[0005]作为本专利技术的一种优选方案，在进行玻璃原片切割加工过程中要保证玻璃的完整性，避免产生裂痕、缺口等残缺。步骤三中丝印的导电银浆电极起到给透明半导体电热膜接
通电源的作用，为了使银浆电极快速干固，可以在丝印好银浆电极后将镀膜基体放入150
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250℃的烘干炉中烘干3
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10分钟，导体电热膜阻隔浆料是丝印在镀膜基体需要绝缘的位置，防止透明半导体电热膜结晶在需要绝缘处而导电。
[0006]作为本专利技术的一种优选方案，步骤五中所述预热烘干段的温度控制在150
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250℃，加热时间控制在3
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10分钟，所述中温固化段的温度控制在350
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480℃，待电极镀膜基体温度升至430
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480℃时中温固化段结束，所述预热烘干段的温度控制在590
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720℃，待温度升至电极镀膜基体的玻璃软化点温度时停止加热，便可进行退火钢化处理。
[0007]作为本专利技术的一种优选方案，在电极上外接导线的接线方式可以采用铆钉固定、螺丝固定、卡扣插接固定、焊接固定等方式，根据接线方式不同，如需要在镀膜基体上加工接线孔时需要在步骤一中完成玻璃原片切割并完成打孔工作。
[0008]本专利技术的有益效果：本专利技术采用先丝印银浆电极再镀半导体电热膜，最后采取一次加热完成玻璃钢化和电极烧结处理的制作方式，优化了工艺方法，使工序更加的简单，降低生产成本，提高了生产效益，避免了对玻璃的多次加热而影响玻璃的质量，同时，透明半导体电热膜结晶后附在电极表面，具有抗氧化、增强强度、防腐防潮等物化性质，可以有效对银浆电极形成保护膜，提升电极的稳定性；另外，镀膜钢化过程一次升温退温一体成型制作工艺，使产品稳定性和良品率更高。制作得到的透明半导体发热钢化玻璃具有高的安全性，高强度，热稳定性，当玻璃受外力破坏时，碎片会成类似蜂窝状的钝角碎小颗粒，不易对人体造成严重的伤害。
具体实施方式
[0009]实施例1
[0010]本专利技术所述的一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺，包括步骤如下：步骤一、将钢化前的玻璃原片加工切割成指定尺寸和形状，得到镀膜基体；步骤二、对镀膜基体通过玻璃清洗机清洗烘干；步骤三、通过自动化丝印机先将银浆电极丝印在清洗烘干后的镀膜基体上的设计位置，待银浆电极干固后再将半导体纳米电热膜阻隔浆料丝印在镀膜基体上的设计位置，得到电极镀膜基体；步骤四、在电极镀膜基体表面镀膜加工形成透明半导体纳米电热膜；步骤五、将完成镀膜的电极镀膜基体送入加热炉中，分别经过预热烘干段、中温固化段、高温镀膜段的三段式阶梯升温加热，最后送入风冷系统中进行快速冷却，完成退火钢化处理得到透明半导体发热钢化玻璃；步骤六、在完成镀膜的透明半导体发热钢化玻璃上的电极上外接导线，得到成品。
[0011]在进行玻璃原片切割加工过程中要保证玻璃的完整性，避免产生裂痕、缺口等残缺。步骤三中丝印的导电银浆电极起到给透明半导体电热膜接通电源的作用，为了使银浆电极快速干固，可以在丝印好银浆电极后将镀膜基体放入150℃的烘干炉中烘干10分钟，导体电热膜阻隔浆料是丝印在镀膜基体需要绝缘的位置，防止透明半导体电热膜结晶在需要绝缘处而导电。
[0012]步骤五中所述预热烘干段的温度控制在150℃，加热时间控制在10分钟，烘干除去银浆中的粘合剂等其余材料，才可高温烧结高纯度银浆；若未烘干除去则会产生电极鼓包
起泡，浆料溢出变形等现象。否则电极的中的助剂在迅速高温的环境下容易快速蒸发起泡，导致电极不均匀，影响导电的稳定性，容易造成短路现象。预热烘道温度过低则会使银浆的助剂无法烘干完全，在之后高温烧结阶段造成快速蒸发，起泡的不良现象。
[0013]所述中温固化段的温度控制在350℃，待电极镀膜基体温度升至430℃时中温固化段结束。由于玻璃原片的热膨胀系数较高，所以在升温阶段采用从阶梯式升温的方式，防止玻璃原片在升温过程中升温温差较大造成玻璃变形较大，而变得弯曲不平整。
[0014]所述预热烘干段的温度控制在590℃，待温度升至电极镀膜基体的玻璃软化点温度时停止加热，便可进行退火钢化处理。玻璃的厚度则直接影响风冷钢化的时间，越厚的玻璃风冷时间越长。玻璃越薄风机的马力要求越大，风力也要求越大。
[0015]在电极上外接导线的接线方式可以采用铆钉固定、螺丝固定、卡扣插接固定、焊接固定等方式，根据接线方式不同，如需要在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺，其特征在于，包括步骤如下：步骤一、将钢化前的玻璃原片加工切割成指定尺寸和形状，得到镀膜基体；步骤二、对镀膜基体通过玻璃清洗机清洗烘干；步骤三、通过自动化丝印机先将银浆电极丝印在清洗烘干后的镀膜基体上的设计位置，待银浆电极干固后再将半导体纳米电热膜阻隔浆料丝印在镀膜基体上的设计位置，得到电极镀膜基体；步骤四、在电极镀膜基体表面镀膜加工形成透明半导体纳米电热膜；步骤五、将完成镀膜的电极镀膜基体送入加热炉中，分别经过预热烘干段、中温固化段、高温镀膜段的三段式阶梯升温加热，最后送入风冷系统中进行快速冷却，完成退火钢化处理得到透明半导体发热钢化玻璃；步骤六、在完成镀膜的透明半导体发热钢化玻璃上的电极上外接导线，得到成品。2.根据权利要求1所述的一种透明半导体发热钢化玻璃的制作工艺，其特征在于：步骤三中丝印的导电银浆电极起到给透明半导体电...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗浩，杨小华，蔡建财，
申请(专利权)人：福建晶烯新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：