一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料。本发明专利技术提供了阻隔浆料，其中含有二氧化硅、氧化钙、活性氧化镁、氧化镁、蒸馏水，整个浆料制作快速简单，可以即配即用，经济效益高，可大批量工业化稳定生产，经高温烧结后不会开裂，可以完美的覆盖在镀膜基体的绝缘处防止镀膜，且经高温烧结后易清洗，用手擦拭即可除去，用水冲洗更清洁快速。半导体纳米电热膜阻隔浆料使用在镀膜工艺之前，可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再做除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。发热体的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料


[0001]本专利技术涉及半导体纳米电热膜
，具体为一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料。

技术介绍

[0002]半导体纳米电热膜是新一代的发热材料。它的发热方式不同于传统金属电阻丝。它零感抗，纯电阻发热，可接受1V
‑
1000V电压输入，供电电源不分正负，交直流均可使用。并且以面状发热打破了传统的线状发热形态，热传递效果好，电热转换效率高：80％～97％，具有较好的节能优势。其具有抗酸碱腐蚀，抗氧化，阻燃，防潮，膜层硬度高，需金刚砂以上的硬度打磨才会破坏膜层，膜层无毒、无有害辐射、无任何污染等物化性质。
[0003]在半导体纳米电热膜不发热区域需要做绝缘处理，也就是所谓的去除多余的电热膜区域。除膜技术中一般包含激光除膜，打磨，喷砂除膜，化学腐蚀等方法，但这些方式大多运用在镀膜后再进行的后续加工除膜处理，适用于小批量，少量打样时运用。但在大批量生产时，后期的加工会造成大量的人工和时间成本。在基体上涂布阻隔浆料，在镀膜前就可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。

技术实现思路

[0004]鉴于现有技术中所存在的问题，本专利技术公开了一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：隔浆料，其主要成分及重量份配比为：
[0005]作为本专利技术的一种优选方案，氧化镁选用重质氧化镁。
[0006]作为本专利技术的一种优选方案，通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度。
[0007]作为本专利技术的一种优选方案，采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
[0008]本专利技术的有益效果：本专利技术提供了阻隔浆料，其中含有二氧化硅、氧化钙、活性氧化镁、氧化镁、蒸馏水，整个浆料制作快速简单，可以即配即用，经济效益高，可大批量工业
化稳定生产，经高温烧结后不会开裂，可以完美的覆盖在镀膜基体的绝缘处防止镀膜，且经高温烧结后易清洗，用手擦拭即可除去，用水冲洗更清洁快速。半导体纳米电热膜阻隔浆料使用在镀膜工艺之前，可以防止半导体纳米电热膜镀膜在基体绝缘处，之后无需再做除膜加工处理，极大的提高了半导体纳米电热膜发热体的生产效率。
具体实施方式
[0009]实施例1
[0010]本专利技术所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：
[0011]其中氧化镁选用重质氧化镁；通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度；采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
[0012]实施例2
[0013]本专利技术所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配比为：
[0014]其中氧化镁选用重质氧化镁；通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度；采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
[0015]实施例3
[0016]本专利技术所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其主要成分及重量份配
比为：比为：
[0017]其中氧化镁选用重质氧化镁；通过控制蒸馏水、活性氧化镁和氧化镁的加入量来控制浆料的稀稠度；采用毛刷涂刷方式将阻隔浆料涂布在半导体纳米电热膜基体的绝缘部位，然后将基体通过高温烧结镀上半导体纳米电热膜，在涂布了阻隔浆料的部位不会形成电热膜，待冷却后通过物理摩擦或水冲洗的方式去除半导体纳米电热膜阻隔浆料，然后便可将镀膜基体制作银浆电极和接线端子。
[0018]本文中未详细说明的部分为现有技术。
[0019]上述虽然对本专利技术的具体实施例作了详细说明，但是本专利技术并不限于上述实施例，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利技术宗旨的前提下做出各种变化，而不具备创造性劳动的修改或变形仍在本专利技术的保护范围以内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于，其主要成分及重量份配比为：二氧化硅5％
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10％、氧化钙5％
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10％、活性氧化镁10％
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15％、氧化镁30％
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55％、蒸馏水25％
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35％。2.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅5％、氧化钙5％、活性氧化镁10％、氧化镁55％、蒸馏水25％组成。3.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜除膜水基阻隔浆料，其特征在于：由二氧化硅10％、氧化钙10％...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗浩，杨小华，蔡建财，
申请(专利权)人：福建晶烯新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：