本申请实施例公开了一种热处理装置，包括，具有反应腔的主体；气体预处理装置，包括本体以及电磁波发生器，本体具有容纳修复气体的电离腔，电离腔与反应腔连通；电磁波发生器具有用于对电离腔中的修复气体进行电离的电磁波发射端，电磁波发射端与本体连接。在本申请实施例中，增加了一个气体预处理装置，使大部分修复气体可以电离产生等离子体，从而使得等离子体的含量增加，将等离子体通入反应腔中，从而使得等离子体对待处理件上的缺陷的修复作用增强。作用增强。作用增强。
【技术实现步骤摘要】
一种热处理装置
[0001]本技术涉及晶圆加工
，尤其涉及一种热处理装置。
技术介绍
[0002]在半导体晶圆的制造过程中，晶圆会因结晶不完美、工艺或结构产生的应力、剪力而产生一些缺陷。为了修复晶圆上的缺陷，需要通过修复气体对晶圆进行热处理操作。热处理的操作过程在热处理装置中实现，对晶圆进行修复时，将晶圆放置于热处理装置的反应腔中，并向反应腔通入高温的修复气体，高温会使修复气体中的一些原子电离形成等离子体，而等离子体的化学活性很强，很容易在晶圆表面发生反应，从而可以在晶圆表面上沉积出薄膜，对晶圆上的缺陷进行一定程度的修复。
技术实现思路
[0003]本技术提供一种热处理装置，能够增强对待处理件上的缺陷的修复作用。
[0004]本申请实施例，提供一种热处理装置，包括，具有反应腔的主体。
[0005]气体预处理装置，包括本体以及电磁波发生器，所述本体具有容纳修复气体的电离腔，所述电离腔与所述反应腔连通；电磁波发生器具有用于对所述电离腔中的修复气体进行电离的电磁波发射端，所述电磁波发射端与所述本体连接。
[0006]根据一些实施例，所述电磁波发生器包括射频发生器。
[0007]基于上述实施例，射频发生器可以产生高频电磁波，高频电磁波可以使电离腔中大部分的修复气体被电离，从而产生大量的等离子体。
[0008]根据一些实施例，所述热处理装置还包括加热装置，安装于所述本体上，用于对所述电离腔内的修复气体进行加热。
[0009]基于上述实施例，所述加热装置可以产生热量对所述电离腔内的修复气体进行加热，且加热所述修复气体还可以促进气体电离，形成等离子体。
[0010]根据一些实施例，所述主体包括用于承载待处理件的承载装置，所述承载装置设置于所述反应腔内。
[0011]基于上述实施例，对所述待处理件进行修复时，将所述待处理件放置于所述反应腔中的所述承载装置上，所述反应腔中的等离子体可以在所述待处理件的表面发生等离子体聚合，从而沉积出薄膜。
[0012]根据一些实施例，所述承载装置与所述主体的内壁滑动连接，所述主体上设置有用于取放所述承载装置的开口。
[0013]基于上述实施例，所述承载装置可以经由所述开口进行取放，从而使得所述待处理件的取放也更方便快捷。
[0014]根据一些实施例，所述承载装置整体呈柱体，且所述承载装置中设置有多个用于放置所述待处理件的隔板，多个所述隔板沿所述承载装置的轴向间隔排布。
[0015]基于上述实施例，每个所述隔板上可以放置一个所述待处理件，故在每次进行热
处理操作时，可以同时对多个所述待处理件进行热处理操作，且多个所述待处理件间不会互相影响，提高了热处理操作的效率。
[0016]根据一些实施例，所述承载装置的滑动方向与所述承载装置的轴向平行。
[0017]基于上述实施例，所述承载装置可以沿平行于所述承载装置的轴向方向滑出或滑入主体，使所述承载装置的取放更方便，提高了热处理操作的效率。
[0018]根据一些实施例，所述主体还具有保温层，所述保温层位于所述反应腔的内壁。
[0019]基于上述实施例，所述保温层使所述反应腔内的修复气体延缓散热，以达到保温的目的，从而使得所述待处理件与等离子体之间可以发生反应的时间增加。
[0020]根据一些实施例，所述热处理装置还包括：抽气装置，所述抽气装置具有抽气口，所述抽气口与所述反应腔连通。
[0021]基于上述实施例，当反应腔中的热处理操作结束后，抽气装置可以将反应腔中的剩余气体抽出，避免在取出所述承载装置时，剩余气体泄露出去污染环境。
[0022]根据一些实施例，所述热处理装置还包括：尾气处理装置，所述尾气处理装置具有进气口，所述抽气装置具有出气口，所述进气口与所述出气口连通。
[0023]基于上述实施例，尾气处理装置对从抽气装置中抽出的剩余气体进行处理，以节约能源，减少污染。
[0024]本技术的有益效果为：
[0025]本申请在所述热处理装置中增加一个所述气体预处理装置，从而使所述修复气体电离产生的等离子体含量增加，将所述等离子体通入所述反应腔中，从而使得所述等离子体对所述待处理件上的缺陷的修复作用增加。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0027]图1为本申请一实施例中热处理装置的结构示意图；
[0028]图2为本申请一实施例中主体的结构示意图；
[0029]图3为本申请一实施例中承载装置的结构示意图。
[0030]附图标记：
[0031]1.主体；11.反应腔；12.承载装置；121.隔板；13.开口；14.保温层；2.气体预处理装置；21.本体；211.电离腔；22.电磁波发生器；221.电磁波发射端；23.阀门；3.加热装置；4.抽气装置；5.尾气处理装置；6.待处理件。
具体实施方式
[0032]为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将结合本申请实施例中的附图来进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0033]待处理件上的缺陷会对待处理件的一些性能带来不利影响。在相关技术中，热处
理装置向待处理件所在的腔体中通入高温的修复气体，高温会使修复气体的一些原子电离形成等离子体，等离子体在待处理件表面上沉积出薄膜，对待处理件上的缺陷进行一定程度的修复。
[0034]然而，高温仅能使少量的修复气体电离形成等离子体，因此，修复气体中的等离子体的含量较少，导致修复气体仅能对待处理件上的缺陷进行一定程度的修复，使得对待处理件上的缺陷的修复效果不佳。
[0035]为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种热处理装置，可以增加等离子体含量，从而增加对待处理件上的缺陷的修复作用。
[0036]具体的，参考图1，热处理设备包括主体1和气体预处理装置2。
[0037]其中，主体1中具有反应腔11，对待处理件6进行修复时，将待处理件6放置于反应腔11中，向反应腔11中通入修复气体与等离子体对待处理件6进行修复。其中，待处理件6可以为晶圆。
[0038]气体预处理装置2，包括本体21以及电磁波发生器22，本体21具有电离腔211，电离腔211用于容纳修复气体，电离腔211与反应腔11连通。电磁波发生器22具有电磁波发射端221，电磁波发射端221与本体21连接，电磁波发射端221可以发射电磁波，利用电磁波可以对电离腔211中的修复气体进行电离，形成等离子体。
[0039]需要说明的是，在本申请实施例中，修复气体可以在电离腔211中进行预处理，电磁波发射端本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种热处理装置，其特征在于，包括：主体，具有反应腔；气体预处理装置，包括本体以及电磁波发生器，所述本体具有容纳修复气体的电离腔，所述电离腔与所述反应腔连通；电磁波发生器具有用于对所述电离腔中的修复气体进行电离的电磁波发射端，所述电磁波发射端与所述本体连接。2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述电磁波发生器包括射频发生器。3.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述热处理装置还包括：加热装置，安装于所述本体上，用于对所述电离腔内的修复气体进行加热。4.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，所述主体包括用于承载待处理件的承载装置，所述承载装置设置于所述反应腔内。5.根据权利要求4所述的热处理装置，其特征在于，所述承载装置与所述主体的内壁滑动连接，所述主体上设置有用于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张佳新，张莉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。