一种气体缓冲机构及蚀刻机制造技术

本申请公开了一种气体缓冲机构及蚀刻机，气体缓冲组件包括静电吸附件以及缓冲件。静电吸附件内设置有沿预设方向延伸的通孔，静电吸附件具有承载面，通孔延伸至承载面，预设方向与承载面垂直；缓冲件穿设于通孔，缓冲件上开设有多个第一输气通道，第一输气通道的出气口靠近承载面所在平面，且与通孔连通。晶圆吸附在承载面上，带有温度的气体通过第一输气通道与晶圆表面接触，对晶圆的温度进行调节，使晶圆的温度达到刻蚀所需的最优温度；第一输气通道相较于相关技术减小了输送气体的空间，避免了较多的杂质离子的聚集形成较大的电势差，进而也避免了电弧的产生。而也避免了电弧的产生。而也避免了电弧的产生。

【技术实现步骤摘要】
一种气体缓冲机构及蚀刻机


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种气体缓冲机构及蚀刻机。

技术介绍

[0002]随着3D NAND(通过堆叠多层数据存储单元增加存储空间的技术)堆叠层数的增加，在刻蚀晶圆堆叠结构上的栅极分割槽时，对晶圆堆叠结构的温度进行控制，以调节至刻蚀结构所需的最佳温度。
[0003]相关技术中，静电吸附件用以固定晶圆堆叠结构，带有温度的气体通过设置在静电吸附件内的气体缓冲塞输送至晶圆的一面，且与晶圆接触，以对晶圆的温度进行调节。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供一种气体缓冲机构及蚀刻机，能够避免空气或气体中的杂质离子聚集在空间较大的气体输送通道内，进而避免产生较大的电势差，降低产生电弧的风险。
[0005]第一方面，本申请实施例提供了一种气体输送机构，气体缓冲组件包括静电吸附件以及缓冲件。
[0006]静电吸附件内设置有沿预设方向延伸的通孔，静电吸附件具有承载面，通孔延伸至承载面，预设方向与承载面垂直；
[0007]缓冲件穿设于通孔，缓冲件上开设有多个第一输气通道，第一输气通道的出气口靠近承载面所在平面，且与通孔连通。
[0008]在一些实施例中，多个第一输气通道绕预设方向排布。
[0009]在一些实施例中，缓冲件上设置第二输气通道，第二输气通道靠近缓冲件的中心设置，第二输气通道贯穿缓冲件且延伸至承载面所在平面。
[0010]在一些实施例中，缓冲件包括主体部和凸出部。第一输气通道位于主体部内，主体部包括靠近承载面所在平面的第一端面；凸出部位于第一端面且与第一端面连接，凸出部的外周面与第一端面形成阶梯状结构；
[0011]其中，凸出部与所述通孔的内壁面间设置有间隙，且第一输气通道的出气口位于第一端面且与间隙连通。
[0012]在一些实施例中，多个所述第一输气通道的出气口绕所述凸出部的周侧设置。
[0013]在一些实施例中，所述间隙为环状。
[0014]在一些实施例中，所述静电吸附件包括第一部分以及第二部分，所述第二部分位于所述第一部分沿预设方向的一侧，所述承载面位于所述第二部分，所述通孔包括第一通孔以及第二通孔，
[0015]所述第二部分还具有与所述承载面背向设置的连接面，所述主体部位于所述第一通孔，所述凸出部位于所述第二通孔，所述第一通孔与第二通孔的连接位置设置有连接面，所述连接面与所述第一端面触接。
[0016]在一些实施例中，所述第一输气通道的中轴线与所述预设方向平行。
[0017]在一些实施例中，所述凸出部包括远离所述主体部的第二端面，所述第二端面与所述承载面间隔设置。
[0018]第二方面，本申请实施例提供了一种蚀刻机，包括上述的气体缓冲组件。
[0019]基于本申请实施例中的气体缓冲组件及蚀刻机，带有温度的气体通过多个第一输气通道输送至承载面的表面，与吸附在静电吸附件上的晶圆的表面接触，对晶圆的温度进行调节，使晶圆的温度达到刻蚀晶圆所需的最优温度。相较于气体通过缓冲件与静电吸附件之间的间隙，将气体输送至晶圆表面，第一输气通道减小了输送气体的空间，较小的输送气体的空间不能聚集较多的杂质离子，避免形成较大的电势差，进而也避免了电弧的产生。
[0020]蚀刻机包括上述的气体缓冲组件，由于气体缓冲组件能够避免气体在缓冲件内的直孔输送过程中产生较大的电势差，降低了电弧产生的风险，提高了蚀刻机的使用性能。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本申请现有技术中的气体缓冲机构的结构示意图；
[0023]图2为图1中沿A
‑
A线的剖面视图；
[0024]图3为本申请一种实施例气体缓冲机构的结构示意图；
[0025]图4为图3中沿B
‑
B线的剖面视图；
[0026]图5为图4中沿C方向的结构示意图。
[0027]附图标记：
[0028]1、静电吸附件；11、第一部分；12、第二部分；121、承载面；122、连接面；13、通孔；131、第一通孔；132、第二通孔；
[0029]2、缓冲件；21、主体部；211、第一输气通道；212、第一端面；22、凸出部；23、第二输气通道；24、第二端面；
[0030]3、晶圆。
具体实施方式
[0031]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0032]请参照图1
‑
图2，相关技术中，气体缓冲机构包括静电吸附件1以及缓冲件2，静电吸附件1用于吸附晶圆3，以使晶圆3固定在静电吸附件1上。
[0033]静电吸附件1内开设有沿预设方向延伸的通孔13，静电吸附件1具有承载面121，通孔13延伸至承载面121，预设方向与承载面121垂直；缓冲件2穿设于通孔13，带有温度的气体通过缓冲件2的外周面与通孔13的内壁面之间的间隔空间，输送至承载面121，进而与吸附在承载面121上的晶圆3接触。
[0034]静电吸附件1带电，不带静电的晶圆3靠近带有静电的静电吸附件1时，由于静电感
应，不带静电的晶圆3内部靠近带静电的静电吸附件1的一侧，集聚与带静电的静电吸附件1所携带电荷相反极性的电荷，由于异性电荷互相吸引，不带静电的晶圆3就会吸附在带静电的静电吸附件1上。
[0035]承载面121可为凹凸面，即晶圆3与承载面121是点接触，点接触的缝隙间可使带有温度的气体通过，流动的气体与晶圆3接触，进而对晶圆3的温度进行调节，使晶圆3的温度达到刻蚀所需的最优温度。
[0036]请参照图2，空气中携带的杂质离子位于晶圆3远离静电吸附件1的一侧以及晶圆3的边缘，杂质离子中的部分离子会通过晶圆3与静电吸附件1间的点接触间的缝隙，进到缓冲件2的外周面与通孔13的内壁面之间的间隔空间内，较大的间隔空间使大量的杂质离子聚集，易于产生较大的电势差，进而产生电弧。
[0037]请参照图3
‑
图4，为解决上述的缓冲件2的外周面与通孔13的内壁面之间的间隔空间较大的问题，第一方面，本申请提供了一种气体缓冲机构，气体缓冲机构包括静电吸附件1以及缓冲件2。
[0038]静电吸附件1包括第一部分11以及第二部分12，第一部分11与第二部分12可为直径相同的圆柱状，第一部分11与第二部分12的中轴线共线，第二部分12位于第一部分11沿预设方向的一侧，预设方向与第一部分11的中轴线一致。沿预设方向上，第一部分11的厚度大于第二部分12的厚度。
[0039]在一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气体缓冲机构，其特征在于，所述气体缓冲机构包括：静电吸附件，所述静电吸附件内设置有沿预设方向延伸的通孔，所述静电吸附件具有承载面，所述通孔延伸至所述承载面，所述预设方向与所述承载面垂直；缓冲件，所述缓冲件穿设于所述通孔，所述缓冲件上开设有多个第一输气通道，所述第一输气通道的出气口靠近所述承载面所在平面，且与所述通孔连通。2.如权利要求1所述的气体缓冲机构，其特征在于，多个所述第一输气通道绕所述预设方向排布。3.如权利要求1所述的气体缓冲机构，其特征在于，所述缓冲件上设置第二输气通道，所述第二输气通道靠近所述缓冲件的中心设置，所述第二输气通道贯穿所述缓冲件且延伸至所述承载面所在平面。4.如权利要求1所述的气体缓冲机构，其特征在于，所述缓冲件包括：主体部，所述第一输气通道位于所述主体部内，所述主体部包括靠近所述承载面所在平面的第一端面；凸出部，所述凸出部位于所述第一端面且与所述第一端面连接，所述凸出部的外周面与所述第一端面形成阶梯状结构；其中，所述凸出部与所述通孔的内壁面间设置有间隙，且所述第一输气通...

【专利技术属性】
技术研发人员：高毅，豆海清，完颜俊雄，钟杜，宋旭，单静静，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：