半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术提供一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室及抽真空装置，工艺腔室包括发生腔、加工腔、第一通道以及分流通道，发生腔用于生成等离子体，加工腔用于进行晶圆的刻蚀工艺，第一通道的两端分别与发生腔和加工腔连通，加工腔位于第一通道的旁侧，分流通道的两端分别与第一通道和抽真空装置连通；偏转装置，用于在第一通道内产生至少一个偏转场，以使发生腔内产生的至少部分等离子体中的带正电荷粒子进入至加工腔内，分流通道用于将偏转装置对等离子体偏转分离出的至少部分中性粒子导向抽真空装置；聚焦装置，设置在加工腔内，用于将进入加工腔的带正电荷粒子聚焦形成带电粒子束，以通过带电粒子束对晶圆进行刻蚀，从而实现无掩模的图形化刻蚀。模的图形化刻蚀。模的图形化刻蚀。

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺设备


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，具体地，涉及一种半导体工艺设备。

技术介绍

[0002]通过深硅刻蚀制造微结构广泛应用于集成电路、微机电系统(MEMS)、微流体器件、先进封装等诸多领域，是工业生产中非常重要的一种工艺过程。由于利用深硅刻蚀工艺得到图形化的微结构过程中涉及到图形转移，晶圆上不需要刻蚀的部位往往需要通过掩模进行遮挡，从而避免该部位被等离子体刻蚀。一般情况下，可以由光刻胶直接充当掩模，也可以通过刻蚀图形转移技术将光刻胶掩模转移到另一种材料上形成硬掩模(例如刻蚀硅时采用氧化硅或者氮化硅形成硬掩模)。
[0003]由于掩模加工必须依赖于光刻，而光刻又是半导体制程中成本最昂贵的工艺过程。因此，可以通过开发出一种不需要掩模的刻蚀工艺来降低半导体制造成本。然而，现有的不需要掩模的刻蚀工艺仍然存在诸多问题，例如只能在晶圆表面形成粗糙结构而不能获得深槽(或深孔)、深槽(或深孔)的宽度过宽、深槽(或深孔)不能获得垂直的形貌等等，因而导致工艺效果不佳，无法得到符合要求的微结构。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室及抽真空装置，所述工艺腔室包括发生腔、加工腔、第一通道以及分流通道，其中，所述发生腔用于生成等离子体，所述加工腔的底部与所述抽真空装置连通，所述加工腔内设置有承载晶圆的承载装置，用于进行所述晶圆的刻蚀工艺，所述第一通道的两端分别与所述发生腔和所述加工腔连通，且所述加工腔位于所述第一通道的旁侧，所述分流通道的两端分别与所述第一通道和所述抽真空装置连通；偏转装置，所述偏转装置用于在所述第一通道内产生至少一个偏转场，以使所述发生腔内产生的至少部分所述等离子体中的带正电荷粒子进入至所述加工腔内，所述分流通道用于将所述偏转装置对所述等离子体偏转分离出的至少部分中性粒子导向所述抽真空装置；聚焦装置，设置在所述加工腔内，用于将进入所述加工腔的所述带正电荷粒子聚焦形成带电粒子束，以通过所述带电粒子束对所述晶圆进行刻蚀。2.根据权利要求1所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述偏转装置包括第一偏转装置，所述分流通道包括至少一个第一分流通道，其中，所述第一偏转装置用于在所述第一通道内形成至少一个第一偏转场，其中一个所述第一偏转场对应于所述加工腔与所述第一通道的连通处，所述第一分流通道的两端分别与所述第一通道和所述抽真空装置连通，所述第一偏转场的数量与所述第一分流通道的数量相同，且所述第一分流通道与所述第一通道的连通处对应于相应的所述第一偏转场。3.根据权利要求2所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述发生腔位于所述第一通道的旁侧，所述偏转装置还包括：第二偏转装置，用于在所述第一通道内形成第二偏转场，所述发生腔与所述第一通道的连通处对应于所述第二偏转场；引出电极，设置在所述第一通道内，且所述第二偏转场位于所述发生腔与所述引出电极之间，其中，所述引出电极用于使所述带正电荷粒子定向移动至所述第二偏转场，所述带正电荷粒子经过所述第二偏转场时发生偏转并向所述第一通道移动。4.根据权利要求3所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述分流通道还包括第二分流通道，所述第二分流通道的两端分别与所述第一通道和所述抽真空装置连通，且所述发生腔、所述第二分流通道以及所述第一通道的连通处对应于所述第二偏转场，所述发生腔内的所述中性粒子在所述抽真空装置的作用下，一部分进入所述第一通道并沿所述第一通道移动，另一部分进入所述第二分流通道并沿所述第二分流通道移动。5.根据权利要求4所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述第二分流通道包括与所述第一通道连通的第一导向通道段，所述第一通道包括与所述第二偏转场接触并位于其下游的第二导向通道段，其中，所述第一导向通道段...

【专利技术属性】
技术研发人员：林源为，伊藤正雄，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：