一种硅反应装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种硅反应装置，包括主进气部以及腔体，主进气部与腔体一体成型并连通，主进气部上设置有多个主进气孔，腔体的侧壁上设置有多个侧进气孔，侧进气孔的进气方向与主进气孔的进气方向呈0

【技术实现步骤摘要】
一种硅反应装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种硅反应装置。

技术介绍

[0002]硅反应装置的腔体内的硅片表面温度分布的均匀性对硅片表面形成的膜的均匀性起着至关重要的作用。现有技术通过在加热灯和硅片间增加特别制作的透光挡板，并在透光挡板上增加一层特殊图形的特殊涂层，使透过透光挡板及涂层到达晶圆表面的光线强度发生变化，从而有效改善了灯加热腔体内温度分布的均匀性，使加热后硅片表面的温度分布更均匀。但影响硅片表面温度均匀性的因素有很多，比如腔体气体的进气量及进气温度、硅片转速、流体和固体间的传热系数等，灯控并不是唯一的影响因素，而伴随着半导体制造对硅片表面温度均匀性要求越来越严格，如何提高硅片表面温度均匀性成为了关键问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种硅反应装置，以提高硅片表面温度的均匀性。
[0004]本专利技术的目的是采用以下的技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种硅反应装置，包括主进气部以及腔体，所述主进气部与所述腔体一体成型并连通，所述主进气部上设置有多个主进气孔，所述腔体的侧壁上设置有多个侧进气孔，所述侧进气孔的进气方向与所述主进气孔的进气方向呈0
‑
90
°
。
[0005]在一些实施方式中，所述硅反应装置还包括硅片、环形部以及动力部，所述硅片、环形部以及动力部均设置于所述腔体的内部，所述硅片搭接在所述环形部上，所述动力部与所述环形部连接，以驱动所述环形部转动。
[0006]在一些实施方式中，所述硅反应装置还包括出气孔，所述出气孔设置在所述腔体的与所述主进气部相对的侧壁上。
[0007]在一些实施方式中，所述出气孔的朝向与所述主进气孔的朝向相同。
[0008]在一些实施方式中，所述硅反应装置还包括流量控制部、混合管道和分路管道，所述混合管道连接至所述流量控制部，所述流量控制部通过所述分路管道分别连通至所述主进气孔以及所述侧进气孔。
[0009]在一些实施方式中，所述腔体上方还设置有盖板，所述盖板上设置有由多个灯组成的环带灯区，所述环带灯区中的每个灯的功率由灯控部统一控制。
[0010]在一些实施方式中，所述硅反应装置还包括探针，所述探针用于检测所述硅片表面的温度，所述探针与主控制部通信连接，所述主控制部与所述流量控制部、所述动力部以及所述灯控部均通信连接。
[0011]在一些实施方式中，所述硅反应装置还包括第一挡板，所述第一挡板用于将从所述主进气孔流入的气体分流，所述第一挡板具有中央圆形部和外周环形部，所述外周环形部环绕在所述中央圆形部的外部，所述外周环形部上均匀设置有多个第一通孔。
[0012]在一些实施方式中，所述硅反应装置还包括第一导入板，所述第一导入板用于将从所述第一挡板流出的气体分流并导入到所述腔体，所述第一导入板的整个平面上设置有均匀分布第二通孔。
[0013]本专利技术的有益效果至少包括：
[0014]1、通过主进气部与腔体一体成型并连通，主进气部上设置有多个主进气孔，腔体的侧壁上设置有多个侧进气孔，从而既能够在整体上实现腔体内气体的均匀性，也能够提高腔体内的边缘处的气体的均匀性。
[0015]2、通过硅片搭接在环形部上，动力部与环形部连接，以驱动环形部转动，从而提高了硅片表面的温度的均匀性。
[0016]3、通过探针将硅片表面的温度数据实时传输至主控制部，主控制部与流量控制部、动力部以及灯控部均通信连接，实现了对硅片表面温度的均匀性的整体控制。
[0017]4、通过设置第一挡板以及第一导入板，第一挡板的外周环形部上均匀设置有多个第一通孔，第一导入板用于将从第一挡板流出的气体分流并导入到腔体，第一导入板的整个平面上设置有均匀分布第二通孔，进一步提高硅片表面的温度的均匀性。
[0018]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例,并配合附图，详细说明如下。
附图说明
[0019]图1为根据本专利技术的一种实施方式的硅反应装置的结构示意图；
[0020]图2为根据本专利技术的一种实施方式的硅片、环形部以及动力部的结构示意图；
[0021]图3为根据本专利技术的一种实施方式的流量控制部、混合管道和分路管道的结构示意图；
[0022]图4为根据本专利技术的一种实施方式的第一挡板以及第一导入板的结构示意图；
[0023]图5为根据本专利技术的一种实施方式的第一挡板的平面结构示意图；
[0024]图6为根据本专利技术的一种实施方式的第一导入板的平面结构示意图。
具体实施方式
[0025]为更进一步阐述本专利技术的技术手段，以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的硅反应装置的具体实施方式详细说明。
[0026]如图1所示，本专利技术所述的硅反应装置包括主进气部1以及腔体2，其中，主进气部1的形状不规则，在一个优选实施例中，主进气部1被构造成对称结构。腔体2为圆柱形，可以理解的是，本专利技术对腔体2的形状不作具体限制，在一个或多个其他实施例中，腔体2也可以为长方体或棱柱等其他形状。主进气部1与腔体2一体成型并相互连通，主进气部1上设置有多个主进气孔11。图1中所示，主进气孔11的数量为20个，可以理解的是，本专利技术对主进气孔11的数量不作具体限制，在一个或多个其他实施例中，主进气孔11也可以设置成其他合适数量。在一个优选实施例中，主进气孔11等距分布。本专利技术设置多个主进气孔11能够避免气体从数量较少的进气孔进入腔体2内所造成的涡流，从而能够使得腔体2内的气体均匀分布。腔体2的侧壁上设置有多个侧进气孔21，可以理解的是，本专利技术对侧进气孔21的数量不
作具体限制，在一个或多个其他实施例中，侧进气孔21也可以设置成其他合适数量。本专利技术通过在主进气部1上设置多个主进气孔11，能够在整体上实现腔体2内气体的均匀性，但实验数据表明，只通过主进气孔11进气，腔体2内的边缘处仍然存在由涡流导致的气体不均匀，因此，本专利技术通过在腔体2的侧壁上增设多个侧进气孔21，能够提高腔体2内的边缘处的气体的均匀性。可以理解的是，从主进气孔11以及侧进气孔21通入的气体可以为氢气、氧气、氮气、氦气以及氩气，亦或是以上几种气体的混合气体，也可根据工艺需求改用其他气体。
[0027]可选地，如图1所示,多个主进气孔11以及多个侧进气孔21可沿水平方向依次排列，并且分别均匀分布。在实际应用中,多个主进气孔11以及多个侧进气孔21可以排成一排,或者也可以沿垂直方向排成多排。多个主进气孔11以及多个侧进气孔21的横截面形状包括圆形、椭圆形、长圆形或者其他任意形状。
[0028]如图1所示，在一个或多个实施例中，主进气部1还包括进气管道(图中未示)，进气管道与腔体2连通以将通过主进气孔11进入的气体导入腔体2的内部。
[0029]如图1所示，在一个或多个实施例中，主进气孔11的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅反应装置，其特征在于，包括主进气部以及腔体，所述主进气部与所述腔体一体成型并连通，所述主进气部上设置有多个主进气孔，所述腔体的侧壁上设置有多个侧进气孔，所述侧进气孔的进气方向与所述主进气孔的进气方向呈0
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90
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。2.根据权利要求1所述的硅反应装置，其特征在于，所述硅反应装置还包括硅片、环形部以及动力部，所述硅片、环形部以及动力部均设置于所述腔体的内部，所述硅片搭接在所述环形部上，所述动力部与所述环形部连接，以驱动所述环形部转动。3.根据权利要求1至2中任一项所述的硅反应装置，其特征在于，所述硅反应装置还包括出气孔，所述出气孔设置在所述腔体的与所述主进气部相对的侧壁上。4.根据权利要求3所述的硅反应装置，其特征在于，所述出气孔的朝向与所述主进气孔的朝向相同。5.根据权利要求2所述的硅反应装置，其特征在于，所述硅反应装置还包括流量控制部、混合管道和分路管道，所述混合管道连接至所述流量控制部，所述流量控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：王美玲，田才忠，贾海立，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：