本发明专利技术提供一种等离子体侧线圈调整结构及半导体设备，所述等离子体侧线圈调整结构包括底座，当需要对侧线圈高度进行调整来改变反应腔室中心及四周区域的电磁场分布来改善工艺效果时，先上下拉动调整环，使调整环带动夹持块上下移动，同时带动侧线圈进行上下移动，实现对侧线圈高度进行调整的效果。本发明专利技术解决了现有技术通过调节工艺参数对溅射均匀性改善不大，且只有侧线圈的功率以及等离子体的分布对其影响较大，以及现有设备无法调节侧线圈位置去改变等离子体分布等问题。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体装备，尤其涉及一种等离子体侧线圈调整结构及半导体设备。
技术介绍
1、随着芯片的器件尺寸减小，在沉积0.8um(8000a)以下的沟槽时，pecvd不再具备很好的台阶覆盖性，经常会形成夹断，而有空洞。主要是因为间隙开口处和间隙底部的淀积率不同而造成的，为了解决pecvd淀积空洞的问题，hdp(高密度等离子体)就应用而生了。
2、在初始淀积完成部分填孔洞尚未发生夹断时紧跟着进行刻蚀工艺以重新打开间隙入口，之后再次淀积以完成对整个间隙的填充。hdp工艺最核心的控制参数就是d/s，d为沉积速率，s为溅射速率。通过控制d/s的大小，来改变填充情况。但是调节并改善溅射均匀性成为hdp的一大难点，通过调节工艺参数对其的改善微不足道，射频功率通过射频线圈(侧线圈)激发出电磁场，反应气体在耦合电磁场的作用下在腔内发生电离形成等离子体。因此，射频线圈的设计直接关系到电磁场的强度和空间分布，进而影响到等离子体状态和工艺结果，而传统设备无法调节侧线圈位置去改变等离子体分布，因此对hdp工艺参数改善不理想。
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【技术保护点】
1.一种等离子体侧线圈调整结构，其包括底座，其特征在于：当需要对侧线圈高度进行调整来改变反应腔室中心及四周区域的电磁场分布来改善工艺效果时，先上下拉动调整环，使调整环带动夹持块上下移动，同时带动侧线圈进行上下移动，实现对侧线圈高度进行调整的效果。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体侧线圈调整结构，其特征在于：当将侧线圈高度调整合适后，直接推动压紧支架，使侧线圈抵在陶瓷穹顶上，然后借助螺丝对压紧支架进行固定。
3.根据权利要求2所述的一种等离子体侧线圈调整结构，其特征在于：调整环内开设有螺孔，调整环的螺孔内部螺纹连接有顶丝，通过直接转动顶丝且使顶丝下端抵在底座上，...
【技术特征摘要】
1.一种等离子体侧线圈调整结构，其包括底座，其特征在于：当需要对侧线圈高度进行调整来改变反应腔室中心及四周区域的电磁场分布来改善工艺效果时，先上下拉动调整环，使调整环带动夹持块上下移动，同时带动侧线圈进行上下移动，实现对侧线圈高度进行调整的效果。
2.根据权利要求1所述的一种等离子体侧线圈调整结构，其特征在于：当将侧线圈高度调整合适后，直接推动压紧支架，使侧线圈抵在陶瓷穹顶上，然后借助螺丝对压紧支架进行固定。
3.根据权利要求2所述的一种等离子体侧线圈调整结构，其特征在于：调整环内开设有螺孔，调整环的螺孔内部螺纹连接有顶丝，通过直接转动顶丝且使顶丝下端抵在底座上，顶丝借助螺纹带动调整环上下移动，从而实现更稳定调节侧线圈高度的效果。
4.根据权利要求1所述的一种等离子体侧线圈调整结构，其特征在于：当需要调整侧线圈相对陶瓷穹顶高度时，先按压调整环保证调整环位置不动，然后转动顶丝，使顶丝借助螺纹上下移动，调整顶丝位置的同时，使顶丝下端始终与底座接触，从而实现借助调整顶丝从调整环下方露出长度来调整侧线圈相对陶瓷穹顶高度的效果。
5.根据权利要求1所述的一种等离子体侧线圈调整结构，其特征在于：所述底座上设有反应腔室，所述底座(7)的反应腔室上方安装有陶...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘铁壮，祁广杰，初春，李久龙，苏宇，田才忠，
申请(专利权)人：盛吉盛宁波半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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