半导体器件和方法技术

本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件，包括：第一半导体条带，在衬底之上，第一半导体条带包括第一沟道区域；第二半导体条带，在衬底之上，第二半导体条带包括第二沟道区域；电介质条带，设置在第一半导体条带和第二半导体条带之间，电介质条带的宽度沿着远离衬底延伸的第一方向减小，电介质条带包括空隙；以及栅极结构，沿着第一沟道区域、沿着第二沟道区域、并且沿着电介质条带的顶表面和侧壁延伸。侧壁延伸。侧壁延伸。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和方法


[0001]本公开涉及半导体器件和方法。

技术介绍

[0002]半导体器件被用于各种电子应用中，例如个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上顺序地沉积材料的绝缘层或电介质层、导电层和半导体层，并且使用光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来继续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一半导体鳍，从衬底延伸；第二半导体鳍，从所述衬底延伸；电介质鳍，设置在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间，所述电介质鳍包括空隙；以及隔离区域，设置在所述电介质鳍和所述衬底之间，所述隔离区域沿着所述电介质鳍的侧壁、所述第一半导体鳍的侧壁、和所述第二半导体鳍的侧壁延伸。
[0005]根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，包括：第一半导体条带，在衬底之上，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一半导体鳍，从衬底延伸；第二半导体鳍，从所述衬底延伸；电介质鳍，设置在所述第一半导体鳍和所述第二半导体鳍之间，所述电介质鳍包括空隙；以及隔离区域，设置在所述电介质鳍和所述衬底之间，所述隔离区域沿着所述电介质鳍的侧壁、所述第一半导体鳍的侧壁、和所述第二半导体鳍的侧壁延伸。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一半导体鳍的顶表面、所述第二半导体鳍的顶表面、和所述电介质鳍的顶表面是共面的。3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：栅极结构，沿着所述电介质鳍的顶表面和侧壁、所述第一半导体鳍的顶表面和侧壁、和所述第二半导体鳍的顶表面和侧壁延伸。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质鳍还包括围绕所述空隙的第一电介质层，所述第一电介质层包括第一电介质材料，所述隔离区域包括第二电介质材料，所述第一电介质材料不同于所述第二电介质材料。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一电介质材料是氮氧化硅，所述第二电介质材料是氧化硅，并且所述空隙填充有空气或处于真空。6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一电介质材料具有第一相对介电常数，所述第二电介质材料具有第二相对介电常数，并且所述空隙具有第三相对介电常数，所述第三相对介电常数小于所述第二相对介电常数，所述第二相对介电常数小于所述第一相对介电常数。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质鳍还包括：第一电介质层，在所述衬底之上，所述第一电介质层围绕所述空隙的下部，所述第一电介质层包括第一电介质材料；第二电介质层，在所述第一电介质层之上，所述第二电介质层围绕所述空隙的中部，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄才育，陈翰德，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：