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本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种器件，包括：第一半导体条带，在衬底之上，第一半导体条带包括第一沟道区域；第二半导体条带，在衬底之上，第二半导体条带包括第二沟道区域；电介质条带，设置在第一半导体条带和第二半导体条带之间，电介质条带...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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