具有至沟槽接触部的自对准过孔的掩埋电源轨制造技术

公开了通过将金属栅极切口形成为对栅极侧壁无选择性的开口而制造的晶体管布置结构。如果开口至少部分地填充有导电材料，则蚀刻工艺可以用于提供电源轨。一旦在开口内沉积了导电材料以形成电源轨，使这种材料在电源轨的面对各种晶体管的栅极堆叠体的部分中凹陷可以在减小寄生电容方面提供进一步的改进。当电源轨的导电材料凹陷以实现自对准到沟槽接触部的过孔时，用于将用于将电源轨电耦合到晶体管的S/D区的沟槽接触部的掩模可以用作掩模。的S/D区的沟槽接触部的掩模可以用作掩模。的S/D区的沟槽接触部的掩模可以用作掩模。

【技术实现步骤摘要】
具有至沟槽接触部的自对准过孔的掩埋电源轨


[0001]本公开总体上涉及半导体装置领域，并且更具体地，涉及晶体管。

技术介绍

[0002]场效应晶体管(FET)，例如金属氧化物半导体(MOS)FET(MOSFET)，是包括源极、漏极和栅极端子并使用电场来控制流过装置的电流的三端子装置。FET典型地包括半导体沟道材料、设置在沟道材料中的源极区和漏极区、以及至少包括栅电极材料并且还可以包括栅极电介质材料的栅极堆叠体，栅极堆叠体设置在沟道材料的处于源极区和漏极区之间的一部分之上。因为栅电极材料通常包括金属，所以晶体管的栅极通常被称为“金属栅极”。
[0003]最近，具有非平面架构的FET，例如基于鳍状物的FET(FinFET，有时也称为“环绕栅晶体管”或“三栅晶体管”)和纳米带/纳米线晶体管(有时也称为“全环栅晶体管”)，已被广泛探索以作为具有平面架构的晶体管的替代品。
附图说明
[0004]通过以下具体实施方式并结合附图，将容易地理解实施例。为了便于描述，类似的附图标记表示类似的结构元件。在附图的图中通过示例而非限制的方式示出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电路(IC)结构，包括：支撑结构，具有第一面和相对的第二面；沟道材料的伸长的沟道结构，所述伸长的沟道结构设置在所述支撑结构的所述第二面之上并且具有大体上平行于所述支撑结构的长轴；晶体管布置结构，具有：包括所述沟道材料的一部分的沟道部分，以及至少部分地环绕所述沟道部分的栅极堆叠体；以及导电材料的电源轨，所述电源轨在所述支撑结构的所述第一面和所述第二面之间延伸并且具有大体上平行于所述伸长的沟道结构的所述长轴的长轴，其中，在所述IC结构的沿大体上垂直于所述电源轨的所述长轴和所述支撑结构中的每一个的平面截取并包括所述栅极堆叠体的截面中，所述电源轨的顶部相比所述栅极堆叠体的顶部，更靠近了所述支撑结构的所述第一面以下距离：所述截面中的所述栅极堆叠体在大体上垂直于所述支撑结构的方向上测量的尺寸的至少一半。2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中：所述晶体管布置结构还包括处于所述沟道部分的任一侧上的所述沟道材料中的第一源极或漏极(S/D)区和第二S/D区，并且所述电源轨耦合到所述第一S/D区。3.根据权利要求2所述的IC结构，还包括：耦合到所述第一S/D区的沟槽接触部，以及耦合在所述电源轨和所述沟槽接触部之间的导电过孔。4.根据权利要求3所述的IC结构，其中，所述导电过孔的侧壁在大体上垂直于所述电源轨的所述长轴的平面中与所述沟槽接触部的对应的侧壁对准。5.根据权利要求3所述的IC结构，所述导电过孔的侧壁在大体上平行于所述电源轨的所述长轴的平面中与所述电源轨的对应的侧壁对准。6.根据权利要求3
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5中任一项所述的IC结构，其中，所述过孔的导电材料的材料成分与所述电源轨的导电材料的材料成分大体上相同，并且在所述过孔的导电材料和所述电源轨的导电材料之间没有阻挡材料或衬层材料。7.根据权利要求6所述的集成电路结构，其中，所述过孔的导电材料的材料成分与所述沟槽接触部的材料成分不同。8.根据权利要求3
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5中任一项所述的IC结构，其中，从所述导电过孔到所述第一S/D区的距离小于从所述导电过孔到所述栅极堆叠体的距离。9.根据权利要求3
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5中任一项所述的IC结构，其中，从所述导电过孔到所述伸长的沟道结构的距离在大约2和100纳米之间。10.根据权利要求1
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5中任一项所述的IC结构，其中，在所述截面中，所述电源轨的顶部比所述栅极堆叠体的底部靠近所述支撑结构的所述第一面。11.根据权利要求1
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5中任一项所述的IC结构，还包括在所述支撑结构的所述第一面处耦合到所述电源轨的至少一部分的背面互连。12.根据权利要求1
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5中任一项所述的IC结构，其中，所述伸长的沟道结构是远离所述支撑结构延伸的鳍状物。
13.根据权利要求12所述的IC结构，其中：所述IC结构还包括在所述支撑结构的第二面之上并围绕所述鳍状物的第一部分的一种或多种电介质材料，所述沟道部分是所述鳍状物的第二部分，其中，所述第一部分比所述第二部分靠近所述支撑结构；并且在所述截面中，所述电源轨的顶部在所述鳍状物的所述第一部分的顶部下方。14.根据权利要求1
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5中任一项所述的IC结构，其中，所述伸长的沟道结构是大体上平行于所述支撑结构的纳米带。15.一种集成电路(IC)结构，包括：支撑结构，具有第一面和相对的第二面；在所述支撑结构之上的沟道材料的多个伸长的结构，大体上彼此平行并且均具有大体上平行于所述支撑结构的长轴；在所述支撑结构之上的一种或多种电介质材料，包围所述多个伸长的结构的至少部分；多个栅极金属线，在所述多个伸长的结构中的至少一些之上并环绕所述多个伸长的结构中的所述至少一些的部分，所述多个栅极金属线大体上彼此平行于并且均具有在大体上垂直于所述多个伸长的结构中的至少一个的长轴的...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：