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公开了通过将金属栅极切口形成为对栅极侧壁无选择性的开口而制造的晶体管布置结构。如果开口至少部分地填充有导电材料，则蚀刻工艺可以用于提供电源轨。一旦在开口内沉积了导电材料以形成电源轨，使这种材料在电源轨的面对各种晶体管的栅极堆叠体的部分中凹陷...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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