三维存储器及存储器系统技术方案

本申请提供了一种三维存储器。该三维存储器包括：存储阵列结构，包括沿第一方向设置的第一存储阵列结构和第二存储阵列结构；桥接结构，连接于第一存储阵列结构与第二存储阵列结构之间，包括交替堆叠的多个电介质层和多个导电层；多个虚设沟道结构，每个虚设沟道结构沿桥接结构的堆叠方向穿过桥接结构，并且在垂直于堆叠方向的平面上，虚设沟道结构的形状在第一方向上的最大尺寸大于其在第二方向上的最大尺寸，第二方向与第一方向彼此相交。第二方向与第一方向彼此相交。第二方向与第一方向彼此相交。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及存储器系统


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地，涉及三维存储器及存储器系统。

技术介绍

[0002]在一些三维存储器中，用于字线引出的阶梯结构位于存储平面(Plane)的中间，能够使例如行解码器从存储平面的中间位置处在相反的方向上双向地驱动字线，从而可减小负载中的电阻，并通过桥接结构来电连接由阶梯分开的字线。

技术实现思路

[0003]本申请一方面提供了一种三维存储器，该三维存储器包括：存储阵列结构，包括沿第一方向设置的第一存储阵列结构和第二存储阵列结构；桥接结构，包括交替堆叠的多个电介质层和多个导电层；以及多个虚设沟道结构，每个虚设沟道结构沿桥接结构的堆叠方向穿过桥接结构，并且在垂直于堆叠方向的平面上，虚设沟道结构的形状在第一方向上的最大尺寸大于其在第二方向上的最大尺寸，第二方向与第一方向彼此相交。
[0004]在一些实施方式中，在垂直于堆叠方向的平面上，虚设沟道结构的形状在第一方向上的最大尺寸与其在第二方向上的最大尺寸之比为1.2～1.8。
[0005]在一些实施方式中，在垂直于堆叠方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.三维存储器，包括：存储阵列结构，包括沿第一方向设置的第一存储阵列结构和第二存储阵列结构；桥接结构，连接于所述第一存储阵列结构与所述第二存储阵列结构之间，包括交替堆叠的多个电介质层和多个导电层；以及多个虚设沟道结构，每个所述虚设沟道结构沿所述桥接结构的堆叠方向穿过所述桥接结构，并且在垂直于所述堆叠方向的平面上，所述虚设沟道结构的形状在所述第一方向上的最大尺寸大于其在第二方向上的最大尺寸，所述第二方向与所述第一方向彼此相交。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，在垂直于所述堆叠方向的平面上，所述虚设沟道结构的所述形状在所述第一方向上的最大尺寸与其在所述第二方向上的最大尺寸之比为1.2～1.8。3.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，在垂直于所述堆叠方向的平面上，所述虚设沟道结构的所述形状具有圆滑的轮廓。4.根据权利要求1至3中任一项所述的三维存储器，其中，在垂直于所述堆叠方向的平面上，所述虚设沟道结构的所述形状为椭圆形。5.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述三维存储器还包括：第一栅线缝隙结构，位于所述桥接结构中并沿所述第一方向连续地延伸；以及至少一个第二栅线缝隙结构，位于所述桥接结构中且位于所述第一栅线缝隙结构的一侧，每个所述第二栅线缝隙结构沿所述第一方向间断地延伸；其中，多个所述虚设沟道结构沿所述第一方向成行排列，在相邻的所述第一栅线缝隙结构与所述第二栅线缝隙结构之间排列为至少一行。6.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述三维存储器还...

【专利技术属性】
技术研发人员：张增鹏，张强威，吴佳佳，王香凝，袁彬，许宗珂，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：