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本申请提供了一种三维存储器。该三维存储器包括：存储阵列结构，包括沿第一方向设置的第一存储阵列结构和第二存储阵列结构；桥接结构，连接于第一存储阵列结构与第二存储阵列结构之间，包括交替堆叠的多个电介质层和多个导电层；多个虚设沟道结构，每个虚设沟...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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