一种存储装置及其控制方法制造方法及图纸

本申请公开了一种存储装置及其控制方法，其中，所述存储装置包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储块；全局字线，耦合至所述存储阵列中的多个存储块；所述全局字线通过串驱动器与所述存储块的本地字线相连接；与所述全局字线连接的电源切换模块，配置为在擦除放电阶段，将所述全局字线从第一电源切换为第二电源；其中，所述第一电源的第一输出电压小于所述第二电源的第二输出电压。述第二电源的第二输出电压。述第二电源的第二输出电压。

【技术实现步骤摘要】
一种存储装置及其控制方法


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种存储装置及其控制方法。

技术介绍

[0002]闪存存储器是一种可以被电擦除和重新编程的低成本、高密度、非易失性的固态存储介质。通常，在擦除操作期间，与选定存储块在同一面中的未选定存储块不会受到擦除影响，因为未选定存储块中的每个字线浮置，其可以通过沟道升压电势耦合。
[0003]然而，在执行完擦除操作后的放电过程中，受到电源的输出电压的影响，会导致原本处于浮置状态的未选定存储块上产生漏电流，导致电压下降，从而影响擦除进程，甚至会影响到闪存存储器的寿命。

技术实现思路

[0004]本申请实施例期望提供一种存储装置及其控制方法。
[0005]本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例第一方面提供一种存储装置，所述装置包括：
[0007]存储阵列，所述存储阵列包括多个存储块；
[0008]全局字线，耦合至所述存储阵列中的多个存储块；
[0009]所述全局字线通过串驱动器与所述存储块的本地字线相连接；
[0010]与所述全局字线连接的电源切换模块，配置为在擦除放电阶段，将所述全局字线从第一电源切换为第二电源；
[0011]其中，所述第一电源的第一输出电压小于所述第二电源的第二输出电压。
[0012]可选地，所述串驱动器包括多个驱动晶体管，所述驱动晶体管的源端/漏端与所述全局字线相连，对应的，所述驱动晶体管的漏端/源端与所述本地字线相连。
[0013]可选地，所述存储块包括选定存储块和未选定存储块；所述选定存储块对应的所述驱动晶体管的栅极与控制信号相连，所述未选定存储块对应的所述驱动晶体管的栅极接地。
[0014]可选地，所述存储块包括选定存储块和未选定存储块；所述全局字线配置为在擦除充电阶段，通过串驱动器将选定电压输出至选定存储块对应的本地字线。
[0015]可选地，所述第一输出电压与所述选定电压相等。
[0016]可选地，所述存储块包括选定存储块和未选定存储块；所述全局字线配置为在擦除放电阶段，通过串驱动器将未选定电压输出至未选定存储块对应的本地字线。
[0017]可选地，所述第二输出电压与所述未选定电压相等。
[0018]本申请实施例第二方面提供一种存储装置的控制方法，应用于第一方面实施例所述的存储装置，所述方法包括：
[0019]在擦除充电阶段，基于第一电源的第一输出电压，对存储阵列中的选定存储块执行擦除操作；
[0020]在擦除放电阶段，将全局字线从所述第一电源切换为第二电源；
[0021]其中，所述第一电源的第一输出电压小于所述第二电源的第二输出电压。
[0022]可选地，所述方法还包括：
[0023]在擦除充电阶段，所述全局字线通过串驱动器将选定电压输出至所述选定存储块对应的本地字线。
[0024]可选地，所述第一输出电压与所述选定电压相等。
[0025]可选地，所述方法还包括：
[0026]在擦除放电阶段，所述全局字线通过串驱动器将未选定电压输出至未选定存储块对应的本地字线。
[0027]可选地，所述第二输出电压与所述未选定电压相等。
[0028]本申请实施例第三方面提供一种存储系统，包括：
[0029]一个或多个存储器器件；以及
[0030]耦合到所述存储器器件并且被配置为控制所述存储器器件的存储器控制器，所述存储器控制器被配置为执行第二方面所述的控制方法。
[0031]本申请公开了一种存储装置及其控制方法，其中，所述存储装置包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储块；全局字线，耦合至所述存储阵列中的多个存储块；所述全局字线通过串驱动器与所述存储块的本地字线相连接；与所述全局字线连接的电源切换模块，配置为在擦除放电阶段，将所述全局字线从第一电源切换为第二电源；其中，所述第一电源的第一输出电压小于所述第二电源的第二输出电压。本申请通过在存储装置擦除放电过程中，改变全局字线的接入电压，提高了驱动能力，使得全局字线接入的第二输出电压与未选定存储块对应的本地字线上的未选定电压相匹配，避免了栅极管的导通，从而减小了未选定存储块对应的本地字线的漏电流。
附图说明
[0032]图1为本申请实施例提供的一种存储装置的结构示意图一；
[0033]图2为本申请实施例提供的一种存储装置的结构示意图二；
[0034]图3为本申请实施例提供的驱动晶体管的结构示意图；
[0035]图4为本申请实施例提供的一种存储装置执行擦除操作时的电压示意图一；
[0036]图5为本申请实施例提供的一种存储装置执行擦除操作时的电压示意图二；
[0037]图6为本申请实施例提供的一种存储装置的控制方法的流程示意图；
[0038]图7为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
[0039]图8A为本申请实施例提供的一种存储器系的示意图一；
[0040]图8B为本申请实施例提供的一种存储器系的示意图二。
具体实施方式
[0041]下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0042]在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。
[0043]附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的步骤。例如，有的步骤还可以分解，而有的步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。
[0044]应当明白，空间关系术语例如“在
……
下”、“在
……
下面”、“下面的”、“在
……
之下”、“在
……
之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在
……
下面”和“在
……
下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
[0045]在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置，其特征在于，包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储块；全局字线，耦合至所述存储阵列中的多个存储块；所述全局字线通过串驱动器与所述存储块的本地字线相连接；与所述全局字线连接的电源切换模块，配置为在擦除放电阶段，将所述全局字线从第一电源切换为第二电源；其中，所述第一电源的第一输出电压小于所述第二电源的第二输出电压。2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述串驱动器包括多个驱动晶体管，所述驱动晶体管的源端/漏端与所述全局字线相连，对应的，所述驱动晶体管的漏端/源端与所述本地字线相连。3.根据权利要求2所述的存储装置，其特征在于，所述存储块包括选定存储块和未选定存储块；所述选定存储块对应的所述驱动晶体管的栅极与控制信号相连，所述未选定存储块对应的所述驱动晶体管的栅极接地。4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述存储块包括选定存储块和未选定存储块；所述全局字线配置为在擦除充电阶段，通过串驱动器将选定电压输出至选定存储块对应的本地字线。5.根据权利要求4所述的存储装置，其特征在于，所述第一输出电压与所述选定电压相等。6.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，所述存储块包括选定存储块和未选定存储块；所述全局字线配置为在擦除放电阶段，通过串驱动器将未选定电压输出至未选定存储块对应的本地字线。7.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：张黄鹏，王瑜，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：