Ⅲ-V族化合物半导体发光元件及其制造方法技术

一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体发光元件是包含Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的发光元件，其特征在于，包含第一层叠体（１０）和第二层叠体（２０），第一层叠体（１０）包含Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层叠体（１１）、在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层叠体（１１）的一个主面侧形成的反射层（１０８）、第一扩散抑制层（１０９）、第一金属层（１１０），第二层叠体（２０）包含半导体衬底（２０１）和第二金属层（２０５），第一层叠体（１０）和第二层叠体（２０）由第一金属层（１１０）和第二金属层（２０５）接合，通过第一扩散抑制层（１０９）抑制反射层（１０８）和第一金属层（１１０）之间的原子的扩散。由此，可提供一种对芯片面积周围的外部的光取出效率高的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体元件及莫制造方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及III-V族化合物半导体发光元件及其制造方法，特别涉及发光的外部取出效率高的III-V族化合物半导体发光元件及其制造方法。
技术介绍
以往，III族氮化物半导体发光元件中主要使用蓝宝石衬底，包含蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件已被商品化。在这样的情况下，由于蓝宝石衬底为绝缘性，所以在衬底的一个主面上生长的多个III族氮化物半导体层上配置p侧电极和n侧电极的两个电极(例如，参照特开2003-163373号公报(以下称为专利文献1)以及特开2002-026392号公报(以下称为专利文献2))。参照图6，专利文献1中公开的III族氮化物半导体发光元件在蓝宝石衬底601上依次层叠缓冲(buffer)层602、第一反射层606、n型半导体层603、发光层604、p型半导体层605、第二反射层607以及p侧电极608。而且，在部分露出的n型半导体层603上形成有n侧电极609。另外，在图6的例子中，第二反射层607兼作p侧电极608。即，在图6所示的发光元件中，从发光层604辐射的光在第一反射层606和第二反射层607之间谐振之后，高效地通过蓝宝石衬底601向外部射出，由此，提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体发光元件，是包含Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体的发光元件，其特征在于，包含第一层叠体和第二层叠体，所述第一层叠体包含依次层叠了ｎ型半导体层、活性层、以及ｐ型半导体层的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层叠体、在所述Ⅲ－Ⅴ族化 合物半导体的一个主面侧形成的反射层、第一扩散抑制层、第一金属层，所述第二层叠体包含半导体衬底和第二金属层，所述第一层叠体和第二层叠体由所述第一金属层和所述第二金属层接合，通过所述第一扩散抑制层抑制所述反射层和所述第一 金属层之间的原子的扩散。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：山本健作，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]