氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件制造技术

本发明专利技术提供了一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件，该半导体器件包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有ｎ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和ｐ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述ｐ型半导体层露出的那部分ｎ型半导体层上的第一电极；设置在所述ｐ型半导体层上、具有露出所述ｐ型半导体层的一部分的窗口部分的第二电极，以及设置在所述窗口部分、与所述第二电极电连接的焊盘电极。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有欧姆电极的氮化镓III-V族化合物半导体器件的制造方法。
技术介绍
近年来，采用GaN、GaAlN、InGaN、InAlGaN等氮化镓系III-V族化合物半导体材料的发光器件备受关注。这类发光器件通常具有在衬底上将n型氮化镓系化合物半导体层与掺p型掺杂剂的氮化镓系化合物半导体层叠层的结构。已往，掺p型掺杂剂的氮化镓III-V族化合物半导体层仍是高阻i型，因而，已有的器件就是所谓的MIS结构。最近，将高阻i型层转化为低阻p型层的技术，例如已被特开平2-257676号、特开平3-218325号以及特开平5-183189号所揭示，由此可以制造出p-n结型氮化镓系III-V族化合物半导体发光器件。但是，为了实现此类p-n结型氮化镓化合物半导体器件，在p型层和/或n型层上形成与之接触的电极方面尚存在各种问题。现在，因受制造方面的制约，在p-n结型氮化镓系III-V族化合物半导体发光器件化合物半导体层内的最上层具有p型化合物半导体层。另外，作为此类器件的衬底，一般使用透明的蓝宝石衬底。与其它半导体发光器件中使用的GaAs、GaAlP等半导体衬底不同，因蓝宝石是绝缘的，为给化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有ｎ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和ｐ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述ｐ型半导 体层露出的那部分ｎ型半导体层上的第一电极；设置在所述ｐ型半导体层上、具有露出所述ｐ型半导体层的一部分的窗口部分的第二电极，以及设置在所述窗口部分、与所述第二电极电连接的焊盘电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村修二，山田孝夫，妹尾雅之，山田元量，板东完治，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]