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本发明提供了一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件，该半导体器件包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面之上、含有ｎ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层和ｐ型氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的半导体叠层结构；设置在从所述ｐ型半导...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

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