【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抑制Zn从掺Zn的p型III—V族化合物半导体层向与该半导体层邻接的有源层中扩散的半导体器件及半导体激光器。参照图5，说明常规的长波长激光器的构造及制造方法。首先，如图5所示，通过MOCVD法在p型InP基片1上依次生长p型InP覆盖层2。非掺杂的InGaAsP有源层3，以及n型InP覆盖层4，形成DH结构。其次，如图5(b)所示，在n型InP覆盖层4上形成氧化硅(是指含SiO2的氧化硅，下同)膜5等的绝缘膜，以氧化硅膜5作蚀刻掩模进行脊形腐蚀之后，再以氧化硅膜5作选择生长的掩蔽，由MOCVD法依次选择生长p型InP层6、n型InP层7及p型InP层8，从而形成阻挡层。再次，如图5(C)所示，除去氧化硅膜5，在n型InP覆盖层4及p型InP层8上，通过MOCVD法生长n型InP接触层9，然后分别在p型InP基片l和n型InP接触层9上形成p侧电极10及n侧电极11。在制造如上所述的半导体激光器时，使用Zn作为p型掺杂剂，S作n型掺杂剂。因此，在生成非掺杂的InGaAsP有源层3之后进行的结晶生长所致的热处理工艺中，掺入p型InP覆盖层2的Zn将...
【技术保护点】
一种半导体器件，该器件具有与有源层邻接的ｐ型Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层，其特征在于：在上述ｐ型Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层中添加了Ｚｎ和Ｆｅ。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤井就亮，木村达也，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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