【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种激光二极管驱动器，特别涉及一种利用具有类似可控硅结构的开关的单片半导体器件的高功率激光二极管驱动器。我们在未决的韩国专利申请第94—5493号中已经提出了一种利用单片半导体器件的高功率、高脉冲重复频率(PRF)、小型的脉冲激光二极管驱动器。可以把这种将储能电容器和光激励的半导体开关集成在一个单片高阻半导体晶片衬底上，以减小寄生电感和寄生电容的影响。结果，就得到了一种具有快速导通、截止时间短和高PRF的脉冲化高功率激光驱动器。理想工作条件下，输出的激光脉冲宽度是由在储能的非均匀阻抗条状线(stripline)中的双向波(two—way wave)渡越时间决定。另外，非均匀阻抗条状线引发电流增益。所以，利用非均匀阻抗条状线结构作为储能电容器并利用光激励半导体开关作成开关对产生高峰值功率、高PRF、具有极狭脉宽的激光脉冲是很有效的方法。然而，这种器件的工作取决于光激励半导体开关，而它需要触发光能去接通该开关。通常，随着普通的光激励开关功率容量增大，所需的触发光能强度也迅速上升。结果，与光激励器件有关的触发激光驱动器的能力和性能迅速降低。因此，本专...
【技术保护点】
一种激光二极管驱动器，包括集成在一片衬底上的一个储能电容器和一个光激励半导体开关，其中，所说光激励半导体开关具有一种类似可控硅的结构。
【技术特征摘要】
...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。