【技术实现步骤摘要】
半导体激光二极管一般来说是人们所公知的并多有记述，例如在Sze的“半导体器件物理学”(“Physics of Semiconductor De-vices”)第二版第12章第681—742页(1981)中即有描述。目前，大部分市场可买到的激光二极管都是由III—V族化合物半导体和它们的合金如GaAs和AlGaAs制造的。这些装置发射的光处于光谱中红外和红的部分，例如，波长在630nm和1550nm之间。这种类型的激光二极管广泛用于例如通讯、记录、传感和图象系统。但是，有许多应用场合，红外和经激光二极管产生的光的波长是不适合的。商业上可行的能发射更短波长的辐射、例如在光谱中绿和兰的部分(即波长在590—430nm之间)的激光二极管将具有更为广泛的应用。较短波长的激光二极管也将会增加目前使用红外和红激光二极管的许多系统的性能和能力。宽带隙II—VI半导体和合金，特别是ZnSe多年来被称为用来制造兰和绿光发射器件的较佳材料，在60年代，利用电子束激励技术在若干种II—VI半导体中产生激光已得到验证。在Colak等人著的《电子束激励的II—VI激光器》晶体生长杂志72，50...
【技术保护点】
用于Ⅱ－Ⅵ族半导体的Ｐ型欧姆接触，包括：Ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体器件层；在器件层的第一侧的Ｐ型Ⅱ－Ⅵ族晶体半导体接触层；在接触层上，由费米能级表征的导电电极层；以及接触层掺具有浅受主能量的浅受主，达到净受主浓度为１×１０↑［１７］ ｃｍ↑［－３］，并且在浅受主能级和电极层费米能级之间包括一些足够的深能态，以能够发生电荷载流子串级隧穿。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔A海斯，郑骅，詹姆斯M迪鲁特，邱钧，
申请(专利权)人：明尼苏达州采矿制造公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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