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用于Ⅱ－Ⅵ族半导体的Ｐ型欧姆接触，包括：Ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体器件层；在器件层的第一侧的Ｐ型Ⅱ－Ⅵ族晶体半导体接触层；在接触层上，由费米能级表征的导电电极层；以及接触层掺具有浅受主能量的浅受主，达到净受主浓度为１×１０↑［１７］ｃｍ↑［－３］，...
该专利属于明尼苏达州采矿制造公司所有，仅供学习研究参考，未经过明尼苏达州采矿制造公司授权不得商用。

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