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本发明涉及抑制Ｚｎ从掺Ｚｎ的Ｐ型Ⅲ－Ｖ族化合物半导体层向与其邻接的有源层中扩散的半导体器件及半导体激光器。为抑制Ｚｎ从与有源层相邻接的掺Ｚｎ的覆盖层向有源层扩散而在掺Ｚｎ覆盖层再添加Ｆｅ或过渡金属元素。...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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