半导体激光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种能进行稳定的横模振荡，能射出具有优异远场图（Ｆ．Ｆ．Ｐ．）的激光的半导体激光元件，它包括依次叠层了第一导电型的半导体层、活性层和与所述第一导电型不同的第二导电型的半导体层的层状结构体，在所述活性层及其附近形成有限制光在宽度方向上扩散，将光引导到与该宽度方向垂直的方向上的波导路区域，波导路区域具有第一波导路区域和第二波导路区域，第一波导路区域是通过限制活性层的宽度，利用该活性层和其两侧的区域之间的折射率差，将光关闭在其所限制的活性层内的区域；第二波导路区域是通过在所述活性层中有效地设置折射率差来将光关闭的区域。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种设有条形脊(凸部)的半导体激光元件，特别是涉及一种使用了GaN、AIN或InN或它们的混合晶即III-V族氮化物半导体(InbAldGa1-b-dN，0≤b，0≤d，b+d＜1)的半导体激光元件。
技术介绍
现在，使用了氮化物半导体的半导体激光元件在应用于诸如能记录与重现DVD等高密度大容量的光盘系统中的需求正在日益增加。因此，在使用了氮化物半导体的半导体激光元件方面正积极地进行研究。使用了氮化物半导体的半导体激光元件能振荡并放出从紫外线至红色广阔光谱范围的可见光，预期其应用范围不仅仅局限于所述光盘系统的光源，还将广泛涉及激光打印机及光学网路等的光源等多领域。特别是，在激光元件的结构方面已有各种研究且已为对横模能有较佳控制的结构也提出了许多建议。其中有脊形波导路结构被视为有发展前途且已被应用于世界上首次开始上市的氮化物半导体激光元件。半导体激光元件的脊形波导路结构因结构简单可使其较易驱动激光振荡，但另一方面在进行大量生产时容易产生特性上的偏差。这是因为脊形波导路结构中凸形长条尺寸的变化会使特性改变，而凸形长条形状的偏差取决于蚀刻的精度，且凸形长条尺寸的精度无法高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光元件，包括依次叠层了第一导电型的半导体层、活性层和与所述第一导电型不同的第二导电型的半导体层的层状结构体，在所述活性层及其附近形成有限制光在宽度方向上扩散，将光引导到与该宽度方向垂直的方向上的波导路区域，其特征在于：所 述波导路区域具有第一波导路区域和第二波导路区域；所述第一波导路区域是通过限制所述活性层的宽度，利用该活性层和该活性层两侧的区域之间的折射率差，将光关闭在其所限制的活性层内的区域；所述第二波导路区域是通过在所述活性层中有效地设 置折射率差来将光关闭的区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：松村拓明，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]