【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成有调制器的半导体激光器件，更具体而言，涉及一种集成有调制器的半导体激光器件，其中通过掺杂部分势垒层而与调制器共享至少一个量子阱层。
技术介绍
对于很多应用来说，例如打印机、扫描仪、医学设备、光通信设备和激光电视等，广泛地使用激光器作为发光装置。激光器通过周期性地变化其输出功率而产生数字信号。这种操作被称为调制，在光通信中尤其用到高频调制。有多种将激光器的光输出功率调制为高频率的方法。在直接调制中，改变施加到激光器件的电流以用于高频调制。在另一种方法中，激光器件连续振荡，而使用独立的调制器来调制激光。图1为示出直接调制的原理的曲线图。参考图1，在直接调制中，在(I1-I2)的范围上改变施加到激光器的电流，以从激光器获得预定的输出功率(P1，P2)。例如，在数字光通信中，如果激光器的输出功率大于参考值P0，该信号就是“1”，而如果不是这样，该信号就是“0”。根据这样的直接调制，如果输出功率的斜率大，那么电流就能够在小范围上变化，从而允许利用相对简单的调制电路进行10GHz或更高的高频调制。然而，在例如激光电视的应用领域中，灰度级是由激光器的工...
【技术保护点】
一种半导体激光器件，包括：衬底；形成于所述衬底上的下分布式布拉格反射器层；形成于所述下分布式布拉格反射器层上并包括交替的多个势垒层和多个量子阱层的有源层；以及外镜，该外镜与所述有源层的顶部隔开从而透射从所述有 源层发射的光的一部分并将剩余部分反射到所述有源层，其中，接触所述多个量子阱层中至少一个的两侧的所述多个势垒层中的两个以不同的类型掺杂。
【技术特征摘要】
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