半导体激光器和制作方法技术

公布了一种激光器（１０），它包括：一个激光腔，该腔具有激光产生介质和在腔的两端的小面形式的初级光学反馈装置，所述激光腔限定了一个纵向延伸的光路；以及，由在激光腔中的多个折射率扰动（１６，２２）形成的次级光学反馈装置，每一个扰动限定了两个界面（２０，２１）；其特征在于，对至少一个扰动，所述两个界面中只有一个对沿着所述光路的光学反馈有贡献。本发明专利技术缓和了制作单纵模器件的平板印刷容差，并改进了性能特性。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种半导体激光器，特别是以基本上单纵模发射进行工作的激光器。
技术介绍
通过在沿着一个器件的长度的预定位置处加入扰动而实现单模发射是已知的，见EP 1 214 763(都伯林三一学院，该文献在此被全文引用)。所谓的“带槽激光器”在爱尔兰专利第S82521(CORK的爱尔兰国家大学)中也得到了公布，其借助由于沿着激光腔的槽特征蚀刻而产生的光学反馈，而实现单纵模发射。一般地说，扰动可以由任何折射率改变装置产生，只要该折射率改变装置在一个适当的程度上改变波导的折射率分布从而控制器件的光学反馈因而控制器件的频谱内容。虽然本专利技术的以下描述主要涉及其中扰动是由沿着器件蚀刻出的槽所限定的情况，但本领域的技术人员可以理解的是，本专利技术的教导也同样适用于其他形式的扰动(例如，通过采用掺杂或离子注入法而改变折射率分布)。术语“槽长度”(在图2中标为Lslot)在此被用来指器件材料中的纵槽面之间的距离，即，“槽长度”是沿着光传播方向d测量的。附图说明图1和2显示了典型的具有单矩形槽6的现有技术带槽激光器1。通常，这样的一个器件包括被一个上包层4所覆盖的波导层2(包含例如一个多量子井本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发射基本上单一波长的光的激光器（１０），包括：一个激光腔，该激光腔具有激光产生介质和具有在所述腔的两端的小面（１７）的形式的初级光学反馈装置，所述激光腔限定了一条纵向延伸的光路；以及，由在所述激光腔中的一或多个有效折射率扰动形成的次级光学反馈装置，每一个扰动都限定了两个界面；其特征在于，对至少一个所述扰动，所述两个界面中只有一个对沿着所述光路的光学反馈有贡献。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东尼约翰帕特乔，约瑟夫布赖恩凯利，克里斯托弗詹姆斯奥高曼，
申请(专利权)人：宜彼莱那光子学有限公司，
类型：发明
国别省市：IE[爱尔兰]