半导体氧化设备和制造半导体元件的方法技术

一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸气的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术总体上涉及，更具体而言，所涉及的从外周边缘部分朝向中央部分氧化含有铝(Al)和砷(As)的半导体元件，并且尤其适于制造其中电流限制部分和电流注入部分的尺寸得到适当调整的氧化限制型面发射激光器。
技术介绍
存在具有电流限制结构的半导体激光器，从而提高电流流动效率。垂直腔面发射激光器(VCSEL)就是此类半导体激光器的一个例子。VCSEL沿垂直于衬底的方向发射光，并且与所谓的边缘发射半导体激光器相比，VCSEL成本低、功耗低、尺寸小、性能高并且适用于二维器件。出于这一原因，VCSEL近来引起了广泛关注。普遍采用AlAs选择氧化限制结构作为VCSEL的电流限制结构，例如，这一点可以从美国专利No.5493577得到反映。VCSEL的这一电流限制结构的形成方法如下将包括圆形或矩形基座造型的台式结构的半导体衬底或半导体样品放置在高温蒸汽气氛内，并从在所述台式结构的侧面处暴露的外周边缘向中央部分对包含在所述台式结构内的p-AlAs选择氧化层进行氧化，保留中央部分未被氧化，从而形成AlxOy电流限制部分(氧化区域)。在具有按上述方式形成的AlxOy电流限制部分的VCSEL中，AlxO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体氧化设备，包括：　　　　由室壁界定的可密封氧化室；　　　　设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；　　　　用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；　　　　监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；　　　　监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及　　　　调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤俊一，轴谷直人，伊藤彰浩，梅本真哉，禅野由明，山本高稔，
申请(专利权)人：株式会社理光，
类型：发明
国别省市：JP[日本]