半导体元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，尤其是涉及在基板上形成 有半导体元件层的半导体元件以及其制造方法。技术背景历来众所周知作为在基板上形成有半导体元件层的半导体元件有 发光二极管元件或半导体激光元件等。此已在例如特开平11一21479 号公报上公开。在上述特开平11一21479S号公报上公开了在氮化物类半导休基板 .l:形成有多个氮化物类半导体层的氮化物类半导体激光元件。具体讲， 在上.述特开平11—214798号公报上公开的氮化物类半导休激光元件 .匕在n型GaN基板上顺序形成n型氮化物类半导体层、山氮化物类 半导体形成的发光层、以及P型氮化物类半导体层。而且，在P型氮 化物类半导体层上形成作为电流通路部的脊(ridge)部的同吋，在脊 部上形成P侧电极。此外，在n型GaN基板的背面形成n侧电极。在上述的基板背面上形成电极的半导体元件中，在基板背面存在 错位时，在基板背面存在错位的区域因流过电流产生泄漏电流。因此， 在上述特开平11-214798号公报中，通过由横方向生长制作n型GaN 基板，降低ii型GaN基板上存在的错位。作为具体的基板制作方法， 首先，在兰宝石基板上预定部分上形成掩模层后，以该掩模层作为选 择生长掩模层，在兰宝石基板上横方向生长n型GaN层。此时，n型 GaN层在兰宝石基板上未形成掩模层的部分上有选择地纵方向生长之 后，逐渐地向横方向生长。这样一来，因为通过向横方向生长n型GaN 层，错位向横方向弯曲，所以抑制了错位向纵方向传播。据此，形成 使到达上面的错位减少的n型GaN层。其后，通过除去含有位于n型 GaN层下方的掩模层的区域(兰宝石基板等)，形成使错位减少的n型 GaN基板。可是，在上述专利文献1的方法中，在未形成向纵方向进行生长 的掩模层的区域上，存在所谓形成错位集中部分的不合适情况。从具有这样的错位集中的区域的n型GaN层制作n型GaN基板时，如果在 n型GaN基板背面错位集中的区域上形成n侧电极，则发生由于在n 型GaN基板背面错位集中的区域上流过电流产生所谓泄漏电流的不合 适情况。因为在这种情况下元件在定电流驱动时光输出变得不稳定， 所以存在所谓使元件工作稳定化困难的问题点。
技术实现思路
木专利技术是为了解决上述这一课题而作的，本专利技术的一个目的是提 供可能使元件工作稳定化的半导体元件。本专利技术的另一目的是提供可能使元件工作稳定化的半导体元件制 造方法。为了达到上述n的，本专利技术的第1情况的半导体元件包含如下部件，即辛:少在背而的一部分上具有错位集中的背而区域的基板、在基 板的农而上形成的半导体元件层、在错位集中的背而区域上形成的绝 缘膜、和以与错位集中的背面区域以外的基板的背而区域接触的方式 形成的背面侧电极。在该第1情况的半导体元件中，如上述所示，在基板背面错位集 中的区域形成绝缘膜的同时，因为通过以与基板背面错位集中的区域 以外的区域接触的方式形成背面侧电极，复盖基板背面错位集中的区 域，使其不从绝缘膜露出，所以可以容易地抑制起因于基板背面错位 集中的区域流过电流产生的泄漏电流。其结果，因为可以容易地使元 件定电流驱动时光输出稳定化，所以可以容易地使半导体元件工作稳 定化。此外，因为可以降低错位集中区域流过的电流，所以可以降低 从错位集中区域来的不必要的发光。在上述第1情况的半导体元件中，半导体元件层优选至少在表面 的一部分具有错位集中的表面区域，还包含以与错位集中的表面区域 以外的半导体元件层的表面的区域接触的方式形成的表面侧电极。根 据这种构成，可以抑制因半导体元件层表面错位集中区域内流过电流 而产生的泄漏电流。其结果，因为可以使元件定电流驱动时的光输出稳定化，所以即使在半导体元件层表面也存在错位集中的区域，也可 以使半导体的工作稳定化。此外，因为可以降低错位集中的区域内流 过的电流，所以可以降低来自错位集中区域的不必要的发光。在上述第1情况的半导体元件中，基板也可以包含氮化物类半导 体基板。根据这样的构成，可以抑制在氮化物类半导体基板上泄漏电 流的发生。根据本专利技术的第2情况的半导体元件，包含如下部件，B卩在基 板表面上形成的、在至少表面一部分上具有错位集中的表面区域的半 导体元件层；在错位集中的表面区域上形成的绝缘膜；以及以与错位 集屮的表面区域以外的半导体元件层的表面区域接触的方式形成的表 而侧电极。在该第2情况的半导体元件中，如上述所示，在半导体元件层表 而上错位集屮的区域上形成绝缘膜的同时，通过以与半导体元件层表 而错位集中的区域以外的区域接触的方式形成表面侧电极，半导体元 件层表而错位集中区域被复盖，以便不从绝缘膜露出，由此，可以容 易地抑制在半导体元件层表面错位柒中的区域上因电流流过而产生的 泄漏『ll流。其结果，因为可以容易地使元件定电流驱动时的光输出稳 定化，所以可以容易地使半导体元件工作稳定化。此外，因为可以降 低错位集中的区域流过的电流，所以可以降低来自错位集中区域的不 必要的发光。在上述第2情况的半导体元件中，基板优选至少在背面的一部分 上具有错位集中的背面区域，还包含以与错位集中的背面区域以外的 基板的背面区域接触的方式形成的背面侧电极。根据这样的构成，可 以抑制因基板背面错位集中区域电流流过而产生的泄漏电流。其结果， 因为可以使元件定电流驱动时的光输出稳定化，所以即使在基板背面 也存在错位集中的区域的情况下，也可以使半导体元件工作稳定化。 此外，因为可以降低错位集中的区域上流过的电流，所以可以降低从 错位集中的区域来的不必要的发光。在这种情况下，基板也可以包含氮化物类半导体基板。根据这样 的构成，可以抑制在氮化物类半导体基板上泄漏电流的产生。在这种情况下，背面侧电极的侧面优选设置在离开基板的侧面以预定间隔隔开的位置。根据这样的构成，例如，在背面侧电极上熔接 焊料时，可以抑制焊料一直流到基板上形成的半导体元件层的侧面端。 据此，可以抑制半导体元件不良短路的发生。在这种情况下，优选还包含在错位集中的背面区域上形成的绝缘 膜。根据这样的构成，因为基板背面错位集中的区域被覆盖，以便不 从绝缘膜露出，所以可以抑制因基板背面错位集中的区域上电流流过 而产生的泄漏电流。本专利技术第3情况的半导体元件包含在基板表面上形成的、至少在 表面一部分上具有错位集中的表面区域的半导体元件层；在比错位集 屮的表面区域更靠内侧的区域上形成的凹部；以及以与错位集中的表 面区域以外的半导体元件层的表面区域相接触的方式形成的半导体侧 电极。在根据该第3情况的半导体元件，如上述所示，在比半导体元件 层表而铅位集中区域更靠内侧的区域上形成凹部的同吋，通过以与半 导体元件层表面错位集中的区域以外的区域相接触的方式形成表而侧 屯极，可以抑制因半导体元件层表面错位集中的区域上电流流过而产 生的泄漏电流。其结果，因为可以使元件定电流驱动吋的光输出稳定 化，所以可以使半导体元件工作稳定化。此外，在作为半导体元件的 一例使用于发光元件中的情况下，因为通过凹部将比半导体元件层表 而错位集中区域更靠内侧的区域和半导体元件层表面错位集中的区域 分开，所以在比半导体元件层表面错位集中的区域更靠内侧的区域发 生的光可以抑制被半导体元件层表面错位集中区域吸收的光。据此， 因为可以抑制被错位集中的区域吸收的光在任本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物类半导体激光元件的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：在ＧａＮ基板上沿元件分离方向以预定的间距配置多个第一元件形成区域；和交替配置多个在劈开方向与所述第一元件形成区域邻接的第二元件形成区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：畑雅幸，户田忠夫，冈本重之，井上大二朗，别所靖之，野村康彦，山口勤，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]